[发明专利]PMOS管驱动电路

权利要求书

1.一种PMOS管驱动电路，其特征在于，包括：

第一电源、第二电源、第三电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、三极管；

所述第一电源与所述PMOS管的源极、第一电阻的一端相连接；

所述第二电源与所述PMOS管的漏极连接；

所述第一电阻的另一端与所述PMOS管的栅极、第二电阻的一端相连接；

所述第二电阻的另一端与所述三极管的集电极连接；

所述第三电源与所述三极管的基极、第三电阻的一端相连接；

所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端相连接；

所述第三电阻的另一端、第四电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的PMOS管驱动电路，其特征在于，所述第一电源为可变电压电源。

3.根据权利要求1所述的PMOS管驱动电路，其特征在于，所述第三电源为高电平时，所述三极管的集电极与发射极导通，所述第一电源的电压依次经过所述第一电阻、第二电阻、三极管、第四电阻和接地后形成回路，此时，所述第一电阻两端的电压为所述PMOS管的驱动电压。

4.根据权利要求1所述的PMOS管驱动电路，其特征在于，所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端连接，构成电流负反馈，形成所述三极管的射极跟随电流；

所述三极管的集电极电流为：

I_c≈(VCC-V_BE(on))/R4；

式中，VCC为第三电源电压，V_BE(on)为三极管的基极、发射极导通电压；

所述PMOS管的驱动电压为：

VGS＝R₁*I_c；

式中，R₁为第一电阻，I_c为三极管的集电极电流。