[发明专利]一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存系统

说明书

本发明提供了一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存系统，所述方法包括：通过第一预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行硬解码，并获得第一电压状态；当硬解码不成功时，通过第二预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行第一次软解码，并获得第二电压状态；当第一次软解码不成功时，根据第一电压状态和第二电压状态确定NAND闪存中的多个存储单元中处于第一电压状态和第二电压状态之间的存储单元的个数；根据个数确定解码等级；根据解码等级选取粗粒度解码或细粒度解码对NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码；若第二次软解码成功，则经过第二次软解码后的解码数据为NAND闪存的读取数据。本发明提高了闪存NAND的数据读取性能。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存系统。

背景技术

随着社会对存储需求的进一步增长，NAND flash(NAND闪存)材质的固态硬盘使用得越来越普遍，其中尤其是多级存储单元MLC、三级存储单元TLC和四级存储单元QLC的使用需求增多，给闪存的可靠性和性能带来了严峻的挑战。NAND闪存的读取过程分为硬读取和软读取，硬读取是读取页面必备的过程，在每个需要施加感应电压的区域只施加一个感应电压，而如果硬读取失败，则实施软读取，即逐步在每个感应区域的施加更多电压，获取更加准确的信息，直到最终解码成功。因此每个单元存储比特位越多，页面原始误码率越高，最终解码等级也越高。

现有技术中的数据读取方法通常为两种，第一种方法是一次施加软感应电压方法，其流程为：当硬读取失败后直接将六次软感应电压全部加上，如果解码成功则读取成功，如果解码失败就读取失败。这种方法读取解码能力强，但也意味着读延时相当长。第二种方法是多次施加感应电压方法流程图，其流程如图1所示：当硬解码失败后，每个区域在硬读取感应电压的基础上再增加4个电压，解码等级也增加一级，直到解码成功，或者达到七次的解码等级极限。这种方法固定每次增加一个等级，不够灵活。

发明内容

本发明提供一种NAND闪存的数据读取方法、装置及NAND闪存系统，旨在解决现有技术中存在的NAND闪存的数据读取过程延时长以及不够灵活的技术问题。

一方面，本发明提供了一种NAND闪存的数据读取方法，包括：

通过第一预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行硬解码，并获得第一电压状态；

当所述硬解码不成功时，通过第二预设电压对NAND闪存中的多个存储单元进行第一次软解码，并获得第二电压状态；

当所述第一次软解码不成功时，根据所述第一电压状态和所述第二电压状态确定所述NAND闪存中的多个存储单元中处于所述第一电压状态和所述第二电压状态之间的存储单元的个数；

根据所述个数确定解码等级；

根据所述解码等级选取粗粒度解码或细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码；

若所述第二次软解码成功，则经过所述第二次软解码后的解码数据为所述NAND闪存的读取数据。

在本发明一种可能的实现方式中，所述根据所述解码等级选取粗粒度解码或细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码包括：

若所述解码等级大于2，则选取所述粗粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码；

若所述解码等级等于2，则选取所述细粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码。

在本发明一种可能的实现方式中，所述选取所述粗粒度解码对所述NAND闪存中的多个存储单元进行第二次软解码包括：

根据所述解码等级确定第三预设电压组，所述第三预设电压组包括电压值不相同的多个第三预设电压；