[发明专利]掩模板、成型方法以及形成OLED阴极图案的方法在审
申请号: | 202110694786.1 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113416925A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 邢汝博 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 成型 方法 以及 形成 oled 阴极 图案 | ||
1.一种掩模板,其特征在于,包括:
掩模板本体,包括图案蒸镀区,所述图案蒸镀区内设置有多个蒸镀开孔,所述掩模板本体具有形成所述图案蒸镀区以及所述蒸镀开孔的壁面;
钝化层,所述掩模板本体的至少部分所述壁面上覆盖有所述钝化层。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述钝化层的耐腐蚀性能大于所述掩模板本体的耐腐蚀性能。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述壁面包括顶壁、底壁以及围合形成各所述蒸镀开孔的孔壁,所述顶壁以及所述底壁在所述掩模板本体的厚度方向上相对设置,所述蒸镀开孔在所述厚度方向上贯穿所述顶壁以及所述底壁,所述孔壁上覆盖有钝化层;
优选地,所述顶壁和底壁的至少一者上覆盖有钝化层。
4.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述顶壁以及所述底壁上分别覆盖有所述钝化层。
5.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述底壁上覆盖的所述钝化层的厚度大于所述顶壁覆盖的所述钝化层的厚度;
优选地,所述钝化层的膜层厚度的取值范围为10nm~1000nm。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述钝化层包括无机氧化物和/或无机氮化物;
优选地,所述钝化层包括氧化硅、氮化硅以及氧化铝中的至少一者。
7.一种掩模板的成型方法,其特征在于,包括:
提供掩模板本体,所述掩模板本体包括图案蒸镀区,所述图案蒸镀区内设置有多个蒸镀开孔,所述掩模板本体具有形成所述图案蒸镀区以及所述蒸镀开孔的壁面;
在至少部分所述壁面上形成钝化层。
8.根据权利要求7所述的成型方法,其特征在于,在所述壁面的各处采用原子层沉积、蒸镀、化学气相沉积以及物理气相沉积方式中的任意一种或两种及以上的方式形成所述钝化层。
9.一种形成OLED阴极图案的方法,其特征在于,包括:
提供设置有发光层的阵列基板,所述发光层包括阵列分布的发光单元;
在所述发光层背离所述阵列基板的一侧设置如权利要求1至6任意一项所述的掩模板,每个所述掩模板的开口与其中一个所述发光单元相对设置;
在预定条件下,利用所述掩模板并通过蒸镀工艺形成阴极层,所述阴极层包括阵列分布的阴极单元,每个所述阴极单元与其中一个所述发光单元相对设置。
10.根据权利要求9所述的形成OLED阴极图案的方法,其特征在于,所述预定条件包括真空度、蒸镀速率以及膜层厚度;
优选地,所述真空度小于或者等于10-4Pa;
优选地,所述蒸镀速率的取值范围为:
优选地,所述膜层厚度的取值范围为:
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