[发明专利]一种氧化退火方法

权利要求书

1.一种氧化退火方法，其特征在于，所述方法包括：

将待处理晶片在低温下置于反应炉内；

通入氧气，将所述反应炉内的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间；

将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温，以在氧化退火过程中使所述待处理晶片的内部缺陷析出至表面。

2.如权利要求1所述的氧化退火方法，其特征在于，所述通入氧气，将所述反应炉内的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间的步骤包括：

通入氧气，将所述反应炉内的温度升高至1200℃以上并维持1～2H。

3.如权利要求2所述的氧化退火方法，其特征在于，所述通入氧气，将所述反应炉内的温度升高至1200℃以上并维持1～2H的步骤包括：

通入1LPM～5LPM的氧气，同时将反应炉内的温度升高至1200℃～1250℃并维持1～2H。

4.如权利要求1～3任一项所述的氧化退火方法，其特征在于，所述将所述反应炉内的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间的步骤包括：

按6～10℃/min的速率将所述反应炉的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间。

5.如权利要求1所述的氧化退火方法，其特征在于，所述阈值温度为大于1200℃，在所述将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温的步骤之前，所述方法还包括：

将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃；

通入湿氧，并维持第二预设时间，以在所述待处理晶片上生长氧化膜。

6.如权利要求5所述的氧化退火方法，其特征在于，在所述将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃的步骤之前，所述方法还包括：

依据所述氧化膜的目标厚度确定目标温度的与目标时间，其中，所述目标温度、所述目标时间均与所述目标厚度正相关，且所述目标温度为900-1200℃中的任一值；

所述将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃的步骤包括：

将所述反应炉内的温度降低至所述目标温度；

所述通入湿氧，并维持第二预设时间的步骤包括：

通入湿氧，并维持所述目标时间。

7.如权利要求5所述的氧化退火方法，其特征在于，所述将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃的步骤包括：

按小于或等于1℃/min的速率将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃。

8.如权利要求5所述的氧化退火方法，其特征在于，所述将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃的步骤包括：

按预设速率将所述反应炉内的温度降低至900-1200℃，其中，所述预设速率小于或等于1℃/min；

所述将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温的步骤包括：

将所述反应炉内的温度按所述预设速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温。

9.如权利要求1所述的氧化退火方法，其特征在于，所述将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温的步骤包括：

通入干氧，并将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温。

10.如权利要求1所述的氧化退火方法，其特征在于，所述将待处理晶片在低温下置于反应炉内的步骤包括：

将所述反应炉内的温度维持至400～600℃，并将所述待处理晶片置于所述反应炉内。