[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 202110688204.9 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN114093788A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 朴芝镐;孔云 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明涉及一种基板处理装置,包括:旋转卡盘,以能够旋转的方式设置于杯形壳体的内部,并用于搭载基板;喷嘴操作台部,以能够旋转的方式设置于旋转卡盘的内部;引导部,设置于喷嘴操作台部的内部;移动模块,以能够移动的方式设置于引导部;引导臂部,与移动模块连接,并支承流体供给管线部;下部喷嘴部,以与移动模块一同移动的方式与引导臂部结合,并与流体供给管线部连接;驱动轴部,与旋转卡盘和喷嘴操作台部连接,以使旋转卡盘和喷嘴操作台部进行旋转;移动轴部,以能够旋转的方式设置于驱动轴部的内部,并与移动模块连接,以使移动模块进行移动;以及驱动部,与驱动轴部和移动轴部连接,以使驱动轴部和移动轴部驱动。
技术领域
本发明涉及基板处理装置,更详细地,涉及可同时处理基板的两侧面并防止药液残留在喷嘴操作台部的内部的基板处理装置。
背景技术
通常,在半导体装置中,在作为半导体基板使用的硅晶圆上形成规定的薄膜。随着硅晶圆经过如化学气相蒸镀、溅射、光刻、蚀刻、离子注入、化学机械抛光等的单位工序,在硅晶圆形成薄膜图案。
为了制造半导体器件而在半导体晶圆上形成多个薄膜。通常采用蚀刻工序来形成多个薄膜。在蚀刻工序中,在半导体晶圆的背面(backside)附着有异物质,因此,为了在半导体晶圆中去除异物质而执行清洗工序和干燥工序等。
但是,以往,在半导体装置的处理液残留在下部喷嘴部及喷嘴驱动模块的情况下,在清洗工序中,因处理液的挥发性而有可能产生烟雾,或者在干燥工序中有可能发生残留物质的回弹现象。因此,有可能产生清洗喷雾或者发生基板不良现象。因此,需要对其进行改善。
本发明的背景技术公开在韩国公开专利公报第2017-0108158号(2017年09月26日公开,发明的名称:具有卡盘组装体维护模块的晶圆处理系统)中。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于,提供可同时处理基板的两侧面并可防止药液残留在喷嘴操作台部的内部的基板处理装置。
解决技术问题的手段
本发明的基板处理装置的特征在于,包括:旋转卡盘,以能够旋转的方式设置于杯形壳体的内部,并用于搭载基板;喷嘴操作台部,以能够旋转的方式设置于所述旋转卡盘的内部;引导部,设置于所述喷嘴操作台部的内部;移动模块,以能够移动的方式设置于所述引导部;引导臂部,与所述移动模块连接,并且支承流体供给管线部;下部喷嘴部,以与所述移动模块一同移动的方式与所述引导臂部结合,并且所述下部喷嘴部与所述流体供给管线部连接;驱动轴部,与所述旋转卡盘和所述喷嘴操作台部连接,以使所述旋转卡盘和所述喷嘴操作台部进行旋转;移动轴部,以能够旋转的方式设置于所述驱动轴部的内部,并且所述移动轴部与所述移动模块连接,以使所述移动模块进行移动;以及驱动部,与所述驱动轴部和所述移动轴部连接,以使所述驱动轴部和所述移动轴部驱动。
所述引导部可以包括以横穿所述喷嘴操作台部的内部的方式配置的导轨部。
所述移动模块可以包括:滑动部,以能够移动的方式与所述导轨部结合;以及齿杆,与所述滑动部连接并与所述引导臂部连接,所述齿杆被设置成与所述移动轴部啮合。
所述移动轴部可以包括:移动轴主体部,以能够旋转的方式设置于所述驱动轴部的中心部,并与所述驱动部连接;以及小齿轮部,以与所述齿杆啮合的方式与所述移动轴主体部连接。
所述下部喷嘴部可以包括:第一下部喷嘴,以与所述齿杆一同移动的方式设置于所述引导臂部,并与所述流体供给管线部连接;以及第二下部喷嘴,以与所述齿杆一同移动的方式设置于所述引导臂部,并与所述流体供给管线部连接。
所述驱动轴部可以包括:第一驱动轴,与所述旋转卡盘和所述驱动部连接;以及第二驱动轴,以能够旋转的方式设置在所述第一驱动轴与所述移动轴部之间,并与所述喷嘴操作台部和所述驱动部连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造