[发明专利]一种低放射性陶瓷釉料的制备方法及其制备的陶瓷釉料有效

专利信息
申请号: 202110686098.0 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113264681B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 王彦庆;杨晖;常宇成;王宇梅;宋子春;檀瑞超;吴传琦;赵晓畅;李涛;董子红;马燕丽;田磊;汪丽敏;高惠;杨艳云 申请(专利权)人: 惠达卫浴股份有限公司
主分类号: C03C8/20 分类号: C03C8/20
代理公司: 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 代理人: 刘军锋;臧芳芳
地址: 063307 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 放射性 陶瓷 釉料 制备 方法 及其
【说明书】:

发明涉及陶瓷釉料技术领域,尤其涉及一种低放射性陶瓷釉料的制备方法及其制备的陶瓷釉料。制备方法包括如下步骤:(1)预磨:将工业硅酸锆研磨至0.3μm≤D10≤0.4μm,0.8μm≤D50≤1μm,D90≤2.5μm,得硅酸锆预磨浆料;(2)终磨:不经烘干,将所述硅酸锆预磨浆料直接与钾长石、钠长石、石英、氧化铝、方解石、白云石、硅灰石、熔块、氧化锌和高岭土混合,加水后进行球磨,过筛,得釉浆;(3)施釉、烧制:以所述釉浆施釉,煅烧,得产品。本发明通过对工业硅酸锆进行预磨处理,控制硅酸锆颗粒级配,使其粒度最大程度分布在可见光波长范围内,在保证陶瓷釉料硬度和白度的前提下降低硅酸锆的用量,从而实现陶瓷釉料的低放射性。

技术领域

本发明涉及陶瓷釉料技术领域,尤其涉及一种低放射性陶瓷釉料的制备方法及其制备的陶瓷釉料。

背景技术

硅酸锆作为卫生陶瓷生产中的一种不可缺少的原料,在卫生陶瓷釉料中起着增白、增硬的重要作用。但是,硅酸锆所用的锆英石原料中含有放射性元素,这使得硅酸锆中也存在放射性杂质,且杂质嵌入硅酸锆晶体结构中,难以去除。因此,要降低卫生陶瓷的放射性就需要减少硅酸锆的用量,然而一般情况下减少硅酸锆的用量会使得卫生陶瓷产品釉面白度和硬度下降,影响卫生陶瓷产品的美观性和耐久性。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一种低放射性陶瓷釉料的制备方法及其制备的陶瓷釉料,通过控制硅酸锆的颗粒级配,使硅酸锆颗粒在可见光波长范围内的比例达到最大化,在保证釉面硬度和白度的基础上实现放射性的降低。具体技术方案如下:

本发明提供一种低放射性陶瓷釉料的制备方法,包括如下步骤:

(1)预磨:将工业硅酸锆球磨至0.3μm≤D10≤0.4μm,0.8μm≤D50≤0.9μm,D90≤2.5μm,得硅酸锆预磨浆料;

(2)终磨:不经烘干,将所述硅酸锆预磨浆料直接与钾长石、钠长石、石英、氧化铝、方解石、白云石、硅灰石、熔块、氧化锌和高岭土混合,加水后进行球磨,过筛,得釉浆;

(3)施釉、烧制:以所述釉浆施釉,煅烧,得产品。

需要说明的是,本发明对传统工业硅酸锆原料进行预磨处理,可极大地降低硅酸锆原料的细度,既提高了硅酸锆乳浊粒子的散射效果,又增加了散射中心数量。此外,本发明进一步精确控制硅酸锆粒度级配,防止因过度研磨导致的颗粒过细而失去乳浊作用,使硅酸锆粒度最大程度分布在0.38μm-0.78μm的可见光波长范围内,在保证陶瓷釉面硬度和白度的前提下降低硅酸锆的用量,从而实现陶瓷釉料的低放射性。

还需要说明的是,不同于本领域常用的以干粉形式向釉料中引入硅酸锆,本发明将硅酸锆预磨浆料直接配釉,保证釉浆体系中硅酸锆粒子达到并保持充分分散,防止硅酸锆颗粒出现团聚现象。

作为本发明的低放射性陶瓷釉料的制备方法的优选实施方案,制备方法包括如下步骤:

(1)预磨:将工业硅酸锆球磨至0.3μm≤D10≤0.4μm,0.8μm≤D50≤1μm,D90≤2.5μm,得硅酸锆预磨浆料;

(2)初磨:不经烘干,将所述硅酸锆预磨浆料直接与钾长石、钠长石、石英、氧化铝、方解石、白云石、硅灰石和熔块混合,加水后进行球磨,得初磨浆料;

(3)终磨:向所述初磨浆料中加入氧化锌和高岭土,球磨、过筛,得釉浆;

(4)施釉、烧制:以所述釉浆施釉,煅烧,得产品。

需要说明的是,本发明对釉料进行初磨和终磨两次研磨加细,进一步对工业硅酸锆原料中的大颗粒产生影响,使粒径在0.9μm以上大颗粒的粒径进一步降低,也使釉料整体的细度降低。同时使硅酸锆和其他原料混合更加均匀,在釉料体系中分散得更好,烧成时可以更广泛、更均匀地结晶析出,更好地对可见光进行散射发挥乳浊效果。

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