[发明专利]一种低放射性陶瓷釉料的制备方法及其制备的陶瓷釉料

权利要求书

1.一种低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)预磨：将工业硅酸锆球磨至0.3μm≤D10≤0.4μm，0.8μm≤D50≤1μm，D90≤2.5μm，得硅酸锆预磨浆料；

(2)初磨：不经烘干，将所述硅酸锆预磨浆料直接与钾长石、钠长石、石英、氧化铝、方解石、白云石、硅灰石和熔块混合，加水后进行球磨，得初磨浆料；

(3)终磨：向所述初磨浆料中加入氧化锌和高岭土，球磨、过筛，得釉浆；

(4)施釉、烧制：以所述釉浆施釉，煅烧，得产品；

上述各原料按重量份计包括：工业硅酸锆7-10份、钾长石10-16份、钠长石5-10份、石英25-30份、氧化铝2-3份、方解石11.5-13.5份、白云石5-8份、硅灰石5-7份、氧化锌1.5-3.5份、高岭土4-6份和熔块1.5-5.5份。

2.根据权利要求1所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，所述初磨浆料D10≤1.5μm，D50≤5μm，D90≤15μm。

3.根据权利要求1所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，所述釉浆D10≤1.3μm，D50≤4.5μm，D90≤14μm。

4.根据权利要求3所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，所述釉浆的浓度345-355g/200ml，屈服值15-17dyn/cm²，流动性V₀ 120-170s/200ml，干燥速度30-35min/5ml。

5.根据权利要求1所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，所述工业硅酸锆0.3μm≤D10≤0.5μm，1μm≤D50≤1.4μm，D90≤10μm，氧化锆含量60-66％。

6.根据权利要求1所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，预磨过程采用1-5mm氧化铝微晶球。

7.根据权利要求1所述低放射性陶瓷釉料的制备方法，其特征在于，烧制过程的煅烧温度1100-1220℃，煅烧时间12-15h。

8.一种低放射性陶瓷釉料，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到。