[发明专利]包含钼的膜的气相沉积

权利要求书

1.一种用于在反应空间中的衬底上形成包含钼的薄膜的过程，该过程包括沉积循环，该沉积循环包括：

将衬底与包括包含卤化钼的气相钼前体的第一反应物接触，随后将衬底与包含CO的第二反应物和包含H₂的第三反应物接触，

其中，所述沉积循环重复两次或更多次以形成包含钼的薄膜。

2.根据权利要求1所述的过程，其中，所述薄膜包含钼和碳。

3.根据权利要求1所述的过程，其中，所述衬底与所述第一反应物、第二反应物和第三反应物交替且顺序地接触。

4.根据权利要求1所述的过程，其中，所述衬底同时与所述第二反应物和第三反应物接触。

5.根据权利要求1所述的过程，其中，所述沉积循环还包括在所述衬底与所述第一反应物接触之后并且在所述衬底与所述第二和第三反应物接触之前，从所述反应空间移除过量的气相钼前体和如果存在的反应副产物。

6.根据权利要求1所述的过程，其中，所述钼前体包括MoCl₅、MoBr₂或MoI₃中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的过程，其中，所述钼前体包括卤氧化钼。

8.根据权利要求7所述的过程，其中，所述钼前体包括MoOCl₄或MoO₂Cl₂中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的过程，其中，所述薄膜是钼薄膜。

10.根据权利要求1所述的过程，其中，包含钼和碳的薄膜包含MoC、Mo₂C和MoOC中的一种。

11.根据权利要求1所述的过程，其中，所述沉积过程还包括使所述衬底与包含NH₃的第四反应物接触。

12.根据权利要求11所述的过程，其中，包含钼和碳的薄膜包含MoOCN或MoCN中的一种。

13.根据权利要求1所述的过程，其中，在所述沉积循环中使用的仅有反应物是所述钼前体、CO和H₂。

14.根据权利要求1所述的过程，还包括使所述衬底与氧反应物接触。

15.根据权利要求14所述的过程，其中，所述氧反应物包括H₂O、O₃、H₂O₂、N₂O、NO₂或NO中的至少一种。

16.根据权利要求1所述的过程，其中，所述沉积循环按顺序包括：

将所述衬底与包含气相钼前体的第一反应物接触；

将所述衬底与包含CO的第二气相反应物接触；以及

将所述衬底与包含H₂的第三气相反应物接触。

17.根据权利要求1所述的过程，其中，所述第三反应物还包括NH₃。

18.根据权利要求1所述的过程，还包括在包含钼和碳的薄膜上沉积含钴膜。

19.根据权利要求1所述的过程，其中，所述沉积循环按顺序包括：

将所述衬底与包含气相钼前体的第一反应物接触；以及

将所述衬底与第二反应物和第三反应物同时接触。