[发明专利]一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法在审
申请号: | 202110683152.6 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113514297A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 吴淑一;林盛涛;邱仁辉;林宇超;陈泽宇;刘文地;付腾飞;於德美;徐建刚;冯超 | 申请(专利权)人: | 福建农林大学 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N21/64 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨唯 |
地址: | 350000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 分子 dna 拉伸 方法 | ||
1.一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于,包括如下步骤:
将含有磁性颗粒的DNA溶液滴加至基底;
利用磁控驱动磁性颗粒以带动DNA液滴移动;
其中,所述DNA液滴移动的过程中,移动的气液固界面将吸附在基底上的单分子DNA拉伸。
2.根据权利要求1所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述的磁性颗粒为铁粉、四氧化三铁磁性微球、脲醛树脂磁性微球、聚苯乙烯磁性微球、二氧化硅磁性微球和g-三氧化二铁微球中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述的基底为疏水性修饰基底和正电荷修饰基底中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述基底的疏水性修饰方法为硅烷化分子熏蒸修饰、疏水聚合物旋涂修饰中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述硅烷化分子熏蒸修饰中的硅烷化分子为三甲基氯硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、三甲基氯硅烷中的一种或多种;所述疏水聚合物旋涂修饰中的疏水聚合物为聚甲基内烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、高定向热解石墨、石墨烯、氧化石墨烯、聚四氟乙烯、ZEONEX中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述正电荷修饰基底的正电荷修饰方法为涂覆多聚赖氨酸、APES硅化、正电荷吸附(Zn2+、Mg2+、Co3+等)中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述利用磁控驱动磁性颗粒具体为:用移动的磁场驱动DNA液滴中掺混的磁性颗粒,使液滴定向移动,从而利用运动的气液固界面将DNA定向拉伸为直线状;其中,所述移动的磁场为通过移动永磁体、磁感线圈产生的移动磁场中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述吸附在基底上的单分子DNA的吸附方式为DNA端部解螺旋暴露的疏水碱基与疏水基底的结合吸附或DNA带负电的磷酸骨架与带正电荷的基底的静电吸附中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:解螺旋暴露出DNA端部所述疏水碱基的方法包括使用DNA解旋酶、加热、调控溶液的pH值中的一种或多种;其中,所述pH值为3~11。
10.根据权利要求1所述的一种用于单分子DNA拉伸的磁控分子梳方法,其特征在于:所述的气液固界面的移动速度为100μm/s~1cm/s。
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