[发明专利]纵横式数组装置及其写入方法

权利要求书

1.一种纵横式数组的写入方法，向使用了电阻变化型存储元件的纵横式数组进行写入，所述写入方法包括：

测定对纵横式数组的所选择的电阻变化型存储元件施加写入电压时产生的潜泄电流的步骤；

对潜泄电流的测定结果予以保持的步骤；以及

对所述所选择的电阻变化型存储元件施加写入电流的步骤，所述写入电流是将根据所保持的测定结果而再生的潜泄电流与为了进行写入而设定的写入电流合计而成。

2.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述测定的步骤对列线或行线施加包括写入电压及写入禁止电压的偏压模式，且对全部的列线或行线施加包括写入禁止电压的偏压模式。

3.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述施加的步骤对连接于所选择的电阻变化型存储元件的列线及行线施加写入电压，对连接于非选择的电阻变化型存储元件的列线及行线施加写入禁止电压。

4.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述保持的步骤将流经写入电压源的潜泄电流作为静电电容保持于电容器中，所述施加的步骤根据保持于电容器中的静电电容再生潜泄电流。

5.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述写入是使电阻变化型存储元件迁移为低电阻状态的设定写入。

6.一种纵横式数组装置，具有：纵横式数组，包括多个列线、多个行线、连接于多个列线与多个行线之间的各交叉部的电阻变化型存储元件；

列选择单元，选择纵横式数组的列线；

行选择单元，选择纵横式数组的行线；以及

写入单元，向电阻变化型存储元件进行写入，

所述写入单元测定对所选择的电阻变化型存储元件施加写入电压时产生的潜泄电流，并对所述所选择的电阻变化型存储元件施加将基于测定结果而再生的潜泄电流与为了进行写入而设定的写入电流合计而成的写入电流。

7.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，

当测定潜泄电流时，所述列选择单元或行选择单元对列线或行线施加包括写入电压及写入禁止电压的偏压模式，且所述行选择单元或所述列选择单元对全部的行线或列线施加包括写入禁止电压的偏压模式。

8.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，

当施加所述合计而成的写入电流时，所述列选择单元或所述行选择单元对连接于所选择的电阻变化型存储元件的列线及行线施加写入电压，对连接于非选择的电阻变化型存储元件的列线及行线施加写入禁止电压。

9.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，所述写入单元包括测定及再生电路，所述测定及再生电路测定潜泄电流并保持所述潜泄电流的测定结果。

10.根据权利要求9所述的纵横式数组装置，其中，

所述测定及再生电路将流经写入电压源的潜泄电流作为静电电容保持于电容器中，并根据保持于电容器中的静电电容再生潜泄电流。

11.根据权利要求10所述的纵横式数组装置，其中，

所述测定及再生电路包括：金属氧化物半导体晶体管，连接于所述写入电压源；以及所述电容器，连接于所述金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述写入电压源之间。

12.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，

所述写入单元包括通过定电流源生成一定的电流的电流限制器，并通过使所述定电流源可变来设定写入电流。

13.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，

各个所述电阻变化型存储元件与选择器整合，所述选择器能够于正向偏压及反向偏压中施加有超过临限值的电压时流动电流。

14.根据权利要求6所述的纵横式数组装置，其中，

所述纵横式数组应用于突触数组。