[发明专利]一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法在审
申请号: | 202110678771.6 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113410226A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 杜睿;朱从义 | 申请(专利权)人: | 苏州华太电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G01R31/26 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 功率 及其 校准 输出 电流 检测 方法 | ||
1.一种集成功率级,其特征在于,所述集成功率级包括高侧开关、低侧开关和驱动电路,所述高侧开关采用LDMOS器件,所述低侧开关采用LDMOS器件或VDMOS器件,且所述高侧开关与驱动电路集成用同一个第一管芯,所述低侧开关外接于第一管芯之外形成分立器件,或者所述低侧开关作为第二管芯与高侧开关及驱动电路所在的第一管芯形成双管芯合封。
2.根据权利要求1所述的一种集成功率级,其特征在于:所述低侧开关采用VDMOS器件且与高侧开关双管芯合封时,封装采用三基岛结构,所述VDMOS器件为漏极背面引出结构,其漏极通过铜夹片与高侧开关的源极相连,所述高侧开关的漏极通过铜夹片引出到封装芯片外部。
3.根据权利要求1所述的一种集成功率级,其特征在于:所述低侧开关采用LDMOS器件且与高侧开关双管芯合封时,封装采用双基岛结构,所述LDMOS器件为源极背面引出结构,其漏极通过铜夹片与高侧开关的源极相连,所述高侧开关的漏极通过铜夹片引出到封装芯片外部。
4.根据权利要求1所述的一种集成功率级,其特征在于:所述驱动电路包括用于进行输出电流检测的电流检测电路和校准控制电路,所述电流检测电路包括高侧电流检测电路、低侧电流检测电路和电流合成电路;所述高侧电流检测电路与高侧开关相连,用于对高侧开关电流进行采样;所述低侧电流检测电路与低侧开关相连,用于对低侧开关电流进行采样;所述电流合成电路用于将高、低侧开关的采样电流合成为连续电流,所述连续电流通过输出电阻转换为电压输出;
驱动电路集成输出电流检测功能,该功能通过电流检测电路和校准控制电路实现,所述电流检测电路包括高侧电流检测电路、低侧电流检测电路和电流合成电路;所述高侧电流检测电路与高侧开关相连,用于对高侧开关电流进行采样;所述低侧电流检测电路与低侧开关相连,用于对低侧开关电流进行采样;所述电流合成电路用于将高、低侧开关的采样电流合成为连续电流,所述连续电流通过输出电阻转换为电压输出。
5.根据权利要求4所述的一种集成功率级,其特征在于:所述校准控制电路采用高侧开关的采样电流对低侧开关的采样电流进行校准。
6.根据权利要求4所述的一种集成功率级,其特征在于:采用检测晶体管对高侧开关电流进行采样。
7.根据权利要求4所述的一种集成功率级,其特征在于:所述电压输出的输出电压为:
VIMON=VREFIN+IIN×(电流检测比例)×RIMON;
其中,VREFIN为输出偏置电压,RIMON为所述输出电阻,IIN为流过高侧开关或低侧开关的电流。
8.根据权利要求7所述的一种集成功率级,其特征在于:当低侧开关的采样电流相比高侧开关的采样电流偏高5%以上,则降低低侧电流采样的比例;反之,若低侧开关的采样电流对比高侧开关的采样电流偏低5%以上,则升高低侧电流采样的比例,当低侧开关的采样电流相比高侧开关的采用电流偏差在±5%以内,则保持低侧电流采样的比例不变。
9.一种集成功率级的自校准输出电流检测方法,其特征在于,所述方法包括:采用高侧开关的采样电流对低侧开关的采样电流进行校准。
10.根据权利要求9所述的一种集成功率级的自校准输出电流检测方法,其特征在于:当低侧开关的采样电流相比高侧开关的采样电流偏高5%以上,则降低低侧电流采样的比例;反之,若低侧开关的采样电流对比高侧开关的采样电流偏低5%以上,则升高低侧电流采样的比例,当低侧开关的采样电流相比高侧开关的采用电流偏差在±5%以内,则保持低侧电流采样的比例不变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的