[发明专利]像素感测器及像素阵列的制造方法

权利要求书

1.一种像素感测器，其特征在于，包含：

一光电二极管，在该像素感测器的一基材内；以及

氧化物-氮化物-氧化物层堆叠，在该基材内的该光电二极管上，配置以保护该光电二极管免于辐射破坏。

2.根据权利要求1所述的像素感测器，其特征在于，还包含：

一格栅结构，在该氧化物-氮化物-氧化物层堆叠上。

3.根据权利要求2所述的像素感测器，其特征在于，该格栅结构包含：

氮化钛层，在该氧化物-氮化物-氧化物层堆叠上；

钨层，在该氮化钛层上；

氧化硅层，在该钨层上；以及

氮氧化硅层，在该氧化硅层上。

4.根据权利要求2所述的像素感测器，其特征在于，该格栅结构包含：

氧化硅层，在该氧化物-氮化物-氧化物层堆叠上；以及

氮氧化硅层，在该氧化硅层上。

5.一种像素感测器，其特征在于，包含：

一光电二极管，在该像素感测器的一基材内；以及

一层堆叠，在该基材内的该光电二极管上，其中该层堆叠包含：

一第一层，其中该第一层包含一第一氧化物材料；

一第二层，在该第一层上，其中该第二层的一能隙小于约8.8电子伏特；以及

一第三层，在该第二层上，其中该第三层包含一第二氧化物材料。

6.根据权利要求5所述的像素感测器，其特征在于，该第一层的一能隙大于该第二层的该能隙。

7.根据权利要求5所述的像素感测器，其特征在于，该第二层是配置以吸收紫外光，且该紫外光的一波长小于或等于250纳米；

其中吸收该波长小于或等于250纳米的该紫外光导致电子-空穴对形成在该第二层内；以及

其中该第一层是配置以防止电子-空穴对由于吸收该紫外光而自该第二层移动至该光电二极管。

8.一种像素阵列的制造方法，其特征在于，包含：

形成多个光电二极管在一像素阵列的一基材内，其中每一所述光电二极管连接包含于该像素阵列内的各别像素感测器；

形成一第一层在所述多个光电二极管上；

形成一第二层在该第一层上，其中该第二层的一能隙大于该第一层的一能隙；

形成一第三层在该第二层上；

形成一格栅结构在该第三层上；

形成多个彩色滤光片区域在该格栅结构之间；以及

形成一微透镜层在该格栅结构上且在所述多个彩色滤光片区域上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一钝化衬垫在该格栅结构的多个侧壁上，

其中该形成所述多个彩色滤光片区域的步骤包含：

形成所述多个彩色滤光片区域在该钝化衬垫上。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该形成该格栅结构的步骤包含：

形成多个层在该第三层上；以及

蚀刻穿过所述多个层至该第三层，以形成该格栅结构的多个开口。