[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202110677978.1 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113823662A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 徐荣完;朴京淳;李秀美;李慈恩;金建熙;金亨锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
一种显示设备包括:第一显示区域,包括第一多个像素;第二显示区域,包括透射区域和第二多个像素,其中:所述第二显示区域的所述第二多个像素布置在所述第二显示区域的缓冲显示区域和正常显示区域中;所述缓冲显示区域与所述第一显示区域相邻;所述正常显示区域与所述第一显示区域间隔开;并且所述正常显示区域的像素密度小于所述缓冲显示区域的像素密度;以及阻挡金属层,在所述第二显示区域中,并且包括与所述透射区域相对应的开口。
本申请要求于2020年6月18日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0074442号韩国专利申请的优先权和权益,本韩国专利申请的全部公开内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个示例实施例的各方面涉及一种显示设备和一种包括该显示设备的电子装置。
背景技术
近来,显示设备已经用于各种用途。另外,随着显示设备的厚度和重量的减小,显示设备的应用范围已经增加。
随着显示设备中显示区域所占据的面积的增加,与显示设备链接或相关联的各种功能也已经增加。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此,在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
为了增加显示区域的面积并添加各种功能,一些示例实施例的各方面包括一种显示设备,该显示设备在显示区域的内部具有用于添加除图像显示功能以外的各种功能的区域。为了添加各种功能,可以对显示区域中的像素的布置进行各种设计。一个或多个示例实施例可以包括显示设备和包括该显示设备的电子装置,该显示设备包括定位于显示区域中的像素的设计结构。
一些示例实施例的另外的方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地从描述中将变得更加显而易见,或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。
根据一个或多个示例实施例,一种显示设备包括:第一显示区域,包括多个像素;第二显示区域,包括透射区域和多个像素,其中,所述第二显示区域的所述多个像素布置在所述第二显示区域的缓冲显示区域和正常显示区域中;所述缓冲显示区域与所述第一显示区域相邻,所述正常显示区域远离与所述第一显示区域;并且所述正常显示区域的像素密度小于所述缓冲显示区域的像素密度;以及阻挡金属层,定位于在所述第二显示区域中,并且包括与所述透射区域相对应的开口。
根据一些示例实施例,按照每单位面积,所述缓冲显示区域中的开口率或像素数可以大于所述正常显示区域中的开口率或像素数,并且小于所述第一显示区域中的开口率或像素数。
根据一些示例实施例,所述第二显示区域的所述正常显示区域可以包括所述透射区域中的第一透射区域,所述第一透射区域在彼此间隔开的两个像素组之间,并且所述阻挡金属层可以包括所述开口中的第一开口,所述第一开口与所述正常显示区域的所述第一透射区域相对应。
根据一些示例实施例,所述第二显示区域的所述缓冲显示区域可以包括所述透射区域中的第二透射区域,所述第二透射区域在彼此间隔开的两个像素组之间,并且所述阻挡金属层可以包括所述开口中的第二开口,所述第二开口与所述缓冲显示区域的所述第二透射区域相对应。
根据一些示例实施例,所述正常显示区域的所述第一透射区域的密度可以大于所述缓冲显示区域的所述第二透射区域的密度。
根据一些示例实施例,所述第二显示区域的所述缓冲显示区域可以包括彼此间隔开的两个像素组,并且所述阻挡金属层可以包括金属材料部分,所述金属材料部分与所述缓冲显示区域的所述两个像素组之间的区域相对应。
根据一些示例实施例,所述第二显示区域中的所述多个像素的布置可以与所述第一显示区域中的所述多个像素的布置不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的