[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202110677978.1 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113823662A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 徐荣完;朴京淳;李秀美;李慈恩;金建熙;金亨锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
第一显示区域,包括第一多个像素;
第二显示区域,包括透射区域和第二多个像素,其中:
所述第二显示区域的所述第二多个像素布置在所述第二显示区域的缓冲显示区域和正常显示区域中;
所述缓冲显示区域与所述第一显示区域相邻;
所述正常显示区域与所述第一显示区域间隔开;并且
所述正常显示区域的像素密度小于所述缓冲显示区域的像素密度;以及
阻挡金属层,在所述第二显示区域中,并且包括与所述透射区域相对应的开口。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,按照每单位面积,所述缓冲显示区域中的开口率或像素数大于所述正常显示区域中的开口率或像素数,并且小于所述第一显示区域中的开口率或像素数。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二显示区域的所述正常显示区域包括所述透射区域中的第一透射区域,所述第一透射区域在彼此间隔开的两个像素组之间,并且
所述阻挡金属层包括所述开口中的第一开口,所述第一开口与所述正常显示区域的所述第一透射区域相对应。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第二显示区域的所述缓冲显示区域包括所述透射区域中的第二透射区域,所述第二透射区域在彼此间隔开的两个像素组之间,并且
所述阻挡金属层包括所述开口中的第二开口,所述第二开口与所述缓冲显示区域的所述第二透射区域相对应。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述正常显示区域的所述第一透射区域的密度大于所述缓冲显示区域的所述第二透射区域的密度。
6.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第二显示区域的所述缓冲显示区域包括彼此间隔开的两个像素组,并且
所述阻挡金属层包括金属材料部分,所述金属材料部分与所述缓冲显示区域的所述两个像素组之间的区域相对应。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二显示区域中的所述第二多个像素的布置与所述第一显示区域中的所述第一多个像素的布置不同。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,在平面图中,所述透射区域中的每一个具有与所述阻挡金属层的所述开口相同的形状。
9.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
第一显示区域,包括第一多个像素;
第二显示区域,包括透射区域和彼此间隔开的第二多个像素组;以及
阻挡金属层,包括与所述透射区域相对应的开口,
其中,所述第二显示区域包括与所述第一显示区域相邻的缓冲显示区域和与所述第一显示区域间隔开的正常显示区域,
其中,所述第一显示区域和所述缓冲显示区域的最靠近所述第一显示区域的第一像素组之间的第一距离小于所述正常显示区域中彼此相邻的第二像素组和第三像素组之间的第二距离。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述正常显示区域包括在所述第二像素组和所述第三像素组之间的第一透射区域,并且
所述阻挡金属层包括与所述正常显示区域的所述第一透射区域相对应的第一开口。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述阻挡金属层的所述第一开口具有第一宽度,并且所述第一宽度等于或小于所述第二距离。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述缓冲显示区域包括具有第二宽度的第二透射区域,并且所述第二透射区域在所述第一像素组和所述第一显示区域之间。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述阻挡金属层包括与所述第二透射区域相对应并具有第二宽度的第二开口,
其中,所述第二开口的所述第二宽度小于所述第一开口的所述第一宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的