[发明专利]一种碳化硅动态检测设备有效

专利信息
申请号: 202110677477.3 申请日: 2021-06-18
公开(公告)号: CN113253087B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 杜浩晨 申请(专利权)人: 陕西开尔文测控技术有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02;B65G47/84;B65G17/12;B65G17/32;B65G59/02;B65G65/32;B65G23/22;B65G43/00
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 崔瑞迎
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 动态 检测 设备
【说明书】:

发明属于半导体检测设备技术领域,具体涉及一种碳化硅动态检测设备,该设备包括检测设备主体和进样装置,所述进样装置包括立架和外壳,所述立架上铺设有与碳化硅器件端口以及检测设备主体接线端口连接的导线,所述导线的用于插入上述端口的一端采用导电金属柱,所述外壳的顶部设有穿接口;所述外壳内设有样品存储箱、样品传送装置、样品收集箱和控制器,所述样品传送装置位于所述导电金属柱和所述样品存储箱之间,所述样品传送装置用于将碳化硅器件传送至适宜的位置。本发明开发出了与碳化硅检测设备配套使用的可连续检测的进样装置,可将待检的所有碳化硅器件连续性测试,比传统的逐个器件测试过程大大提高了速度,节约人力。

技术领域

本发明属于半导体检测设备技术领域,具体涉及一种碳化硅动态检测设备。

背景技术

半导体器件比如IGBT、碳化硅等是许多设备都会用到的器件,最常见的碳化硅半导体器件就是晶体管,碳化硅晶体管具阻断电压高、导通压降低、关断时间短以及耐高温等一些列优势,在电力电子器件的应用场合占据了非常大的优势。在碳化硅期间中,SiC BJT具有更加独特的优势,如与SiC MOSFET相近的关断时间,而且无需复杂的栅氧工艺。虽然SiC BJT具有独特优势,但作为流控型器件,在器件工作时,需要持续的基极电流供给,这就需要器件的各项功能均稳定发挥。

现有技术中,为了提升碳化硅器件的各项性能,科研工作者进行了多方面的研究,开发了具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管,开发了包括NPN型晶体管的集成碳化硅晶体管等。不管是晶体管的功能有哪些侧重方向,在其投入使用前都需要经过功能测试。

我司前期工作中已经开发了一些晶体管测试仪,比如CN203838298U公开的晶体管扫描测试系统,其包括用于测试晶体管或者二极管的测试仪,还包括继电器组以及继电器控制单元,所述继电器控制单元用于控制每个继电器的通断,所述继电器控制单元设置在测试仪内,测试仪可以同时与多个晶体管器件进行连接,利用继电器的开合来选择所要测试的晶体管,配型单片机等可编程器件,能够实现自动测试,提高测试效率。然而该项设备虽然可以将原有的晶体管测试仪从一个一个样品的低效率检测变成连续的样品检测过程,但是仍需要依赖继电器等电器元件进行样品更换过程,当电器元件的数量受到限制时,样品的检测数量也受到了限制。为了进一步提高碳化硅样品的检测效率,需要开发一种可连续更换检测样品的设备,既能满足大量的待检样本检测需求,又能自动化更换检测样品,减少更换检测样品的工作量。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种碳化硅动态检测设备。

本发明的目的是提供一种碳化硅动态检测设备,包括检测设备主体,还包括进样装置,所述进样装置包括立架和外壳,所述立架上铺设有与所述碳化硅器件端口以及检测设备主体接线端口连接的导线,所述导线的与碳化硅器件端口连接的一端连接有导电金属柱,所述外壳的顶部设有穿接口,所述导电金属柱贯穿所述穿接口设置;

所述外壳内设有样品存储箱、样品传送装置、样品收集箱和控制器,所述样品传送装置安装在所述外壳内侧壁,并位于所述导电金属柱和所述样品存储箱之间,所述控制器安装在所述外壳内壁,所述控制器与所述样品传送装置连接;所述控制器用于控制所述样品传送装置将所述样品存储箱内的所述碳化硅器件夹持起来,并传输至所述导电金属柱处,使所述导电金属柱插入对应的所述碳化硅器件端口,所述样品传送装置还用于将已检测的所述碳化硅器件转移至所述样品收集箱内,然后再抓取所述样品存储箱内新的所述碳化硅器件;

所述外壳上设置有样品存储箱和样品收集箱的位置设置有活动门。

优选的,上述碳化硅动态检测设备,所述样品传送装置为机械爪,所述控制器与所述机械爪连接。

优选的,上述碳化硅动态检测设备,所述样品传送装置包括偏心轮、非偏心的传送轮、传送带、样品夹持件、样品解锁件和旋转电机;

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