[发明专利]一种数据读写方法和混合型存储器在审

专利信息
申请号: 202110654001.8 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN114911412A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 许仲杰 申请(专利权)人: 荣耀终端有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/10
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 读写 方法 混合 存储器
【说明书】:

本申请实施例提供一种数据读写方法和混合型存储器,涉及终端领域,能够提升读写性能和降低功耗。该混合型存储器包括存储控制器、易失性存储介质和非易失性存储介质。易失性存储介质的物理地址段与非易失性存储介质的物理地址段不同。存储控制器可以从处理器接收读/写指令,该读/写指令中携带第一地址(第一地址可以是物理地址或逻辑地址);若第一地址对应易失型存储介质的存储空间,存储控制器可以在易失型存储介质的存储空间进行数据读写处理;若第一地址对应非易失型存储介质的存储空间,存储控制器可以在非易失型存储介质的存储空间进行数据读写处理。

本申请要求于2021年02月09日提交国家知识产权局、申请号为202110182302.5、申请名称为“一种混合易失型与非易失型存储介质的器件实现方法及其装置”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及终端领域,尤其涉及一种数据读写方法和混合型存储器。

背景技术

目前,各种电子设备(诸如智能手机、平板电脑等)中存在两种存储介质,分别为易失性存储器(volatile memory,VM)和非易失性存储器(none volatile memory,NVM)。易失性存储器可以包括随机访问存储器(radom access memory,RAM)。RAM例如可以是双倍数据速率(dual data rate,DDR)内存。易失性存储器当系统遭遇突然掉电时,其存储的内容会丢失。非易失性存储器例如可以包括硬盘驱动器(hard drive disk,HDD)和固态硬盘(solid state disk,SSD)等。非易失性存储器在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失。

易失性存储器和非易失性存储器存在以下问题:易失性存储器在读写数据时会消耗较高的功耗,非易失性存储器在读写数据时会遇到较长的延迟和等待,读写性能低。

发明内容

本申请实施例提供一种数据读写方法和混合型存储器,能够提升读写性能和降低功耗。

第一方面,本申请实施例提供一种混合型存储器,混合型存储器包括存储控制器、易失性存储介质和非易失性存储介质;易失性存储介质的物理地址段与非易失性存储介质的物理地址段不同;存储控制器用于从处理器接收读/写指令,读/写指令中携带第一地址;第一地址对应易失型存储介质的存储空间或非易失型存储介质的存储空间;若第一地址对应易失型存储介质的存储空间,存储控制器用于将数据写入易失型存储介质的存储空间或者从易失型存储介质的存储空间读取数据;若第一地址对应非易失型存储介质的存储空间,存储控制器用于将数据写入非易失型存储介质的存储空间或者从非易失型存储介质的存储空间读取数据。

本申请实施例提供的混合型存储器中的易失型存储介质组可以支持高速处理数据,可以实现高读写性能。混合型存储器中的非易失型存储介质组在较低的频率下具有较高性能和较低功耗。因此,采用混合型存储器可以提升电子设备读写性能和降低功耗。可以满足市场上的电子设备的低功耗和高性能的基本诉求。并且,混合型存储器硬件实现简单,内部设计简单,成本低。

在一种可能的实现方式中,混合型存储器还包括总线、基板、封装外壳和总线接口中的至少一项;其中,存储控制器、易失型存储介质和非易失型存储介质集成在基板上,易失型存储介质和非易失型存储介质之间通过总线连接,存储控制器、易失型存储介质和非易失型存储介质、总线以及基板封装在封装外壳内部,封装外壳006对外呈现总线接口,总线接口用于与处理器连接。混合型存储器硬件实现简单,内部设计简单,更易实现,成本更低。

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