[发明专利]一种异质构型太阳能电池结构及其制备方法与应用有效

申请号：	202110651706.4	申请日：	2021-06-11
公开（公告）号：	CN113517370B	公开（公告）日：	2022-10-14
发明（设计）人：	陈进;孙雨;王凤超;庞建鑫;韩睿祎	申请（专利权）人：	上海应用技术大学
主分类号：	H01L31/072	分类号：	H01L31/072;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/046;H01L31/18
代理公司：	上海科盛知识产权代理有限公司 31225	代理人：	吴文滨
地址：	201418 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种构型太阳能电池结构及其制备方法应用
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【权利要求书】：

1.一种异质构型太阳能电池结构，其特征在于，该太阳能电池结构包括由下而上依次设置的导电基底（4）、CZTS薄膜层（3）、CsPbBr₃薄膜层（2）及碳电极（1），所述的CZTS薄膜层（3）与CsPbBr₃薄膜层（2）构成CZTS-CsPbBr₃异质结，所述的CsPbBr₃薄膜层（2）与碳电极（1）接触；

其中，CsPbBr3薄膜层（2）作为缓冲层，具有双极性载流子传输特性；

所述的导电基底（4）为ITO/FTO导电玻璃基底或柔性导电基底；

所述的CZTS-CsPbBr₃异质结为spike-like型异质结构。

2.一种如权利要求1所述的异质构型太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1）采用分子溶液印刷法在导电基底（4）上生成CZTS薄膜层（3）；基于金属盐-硫脲体系的热分解反应制备CZTS薄膜，金属-硫脲络合物分子印刷沉积后施以退火工艺促进反应；

2）在CZTS薄膜层（3）上沉积CsPbBr₃薄膜层（2）；

3）在CsPbBr₃薄膜层（2）上沉积碳电极（1）。

3.根据权利要求2所述的一种异质构型太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，步骤2）中，采用分子溶液喷涂法在CZTS薄膜层（3）上制备CsPbBr₃薄膜层（2）。

4.根据权利要求3所述的一种异质构型太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，基于有机溶剂的热蒸发反应制备CsPbBr₃薄膜。

5.根据权利要求2所述的一种异质构型太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，步骤3）中，采用印刷法在CsPbBr₃薄膜层（2）上制备碳电极（1）。

6.一种如权利要求1所述的异质构型太阳能电池结构的应用，其特征在于，所述的太阳能电池结构用于高性能太阳能电池器件中。

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