[发明专利]制作电子设备壳体的方法、电子设备壳体及电子设备在审
申请号: | 202110647094.1 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113354946A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 陈奕君;胡梦;李聪 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | C08L81/02 | 分类号: | C08L81/02;C08K9/06;C08K9/02;C08K3/22;B29C45/00;H05K5/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 孙立波 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 电子设备 壳体 方法 | ||
1.一种制作电子设备壳体的方法,其特征在于,包括:
将无机填料的表面进行羟基化处理,得到第一预制料;
将所述第一预制料的表面进行偶联剂改性处理,得到第二预制料;
将所述第二预制料与有机聚合物混合,得到预制混合物,并将所述预制混合物进行密炼处理,得到第三预制料;
将所述第三预制料加工成型,以便得到所述电子设备壳体。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述无机填料的表面进行所述羟基化处理的步骤包括对所述无机填料的表面进行等离子体表面处理,所述等离子体表面处理满足以下条件的至少之一:
等离子体包括氧气等离子体或水等离子体中的至少一种;
温度为70℃~90℃;
压力为0.005kPa~0.09kPa;
等离子体功率为30W~150W;
流量为2.5g/h~10g/h;
处理时间为2min~10min。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预制料的表面羟基的量为5×10-5mol·m-2~50×10-5mol·m-2。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第一预制料的表面进行偶联剂改性处理的步骤包括将偶联剂与所述第一预制料混合,所述偶联剂满足以下条件的至少之一:
包括硅烷偶联剂或钛酸酯偶联剂中的至少一种;
质量百分含量为所述第一预制料的0.5%~3%。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二预制料与所述有机聚合物的质量比为(1~10):1,
任选地,所述无机填料包括ZrO2、Al2O3、TiO2或SiO2中的至少一种,
任选地,所述有机聚合物包括聚亚苯基硫醚、聚碳酸酯或聚酰胺中的至少一种,
任选地,在将所述预制混合物进行所述密炼处理之前,还包括向所述预制混合物中加入颜料。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密炼处理是在真空条件下进行的,且所述密炼处理的温度为200℃~350℃。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第三预制料加工成型的步骤包括:
将所述第三预制料进行注塑成型处理,得到第一坯体;
将所述第一坯体进行等温静压处理,得到第二坯体,
任选地,满足以下条件的至少之一:
所述注塑成型处理的温度为200℃~350℃;
所述等温静压处理的温度为80℃~300℃;
所述等温静压处理的压力为50MPa~500MPa。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在将所述第一坯体进行所述等温静压处理,得到所述第二坯体之后,将所述第三预制料加工成型的步骤还包括:
将所述第二坯体进行热处理,
任选地,所述热处理是在空气条件下进行的,且所述热处理的温度为270℃~360℃。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在将所述第一坯体进行所述等温静压处理,得到所述第二坯体之后,将所述第三预制料加工成型的步骤还包括以下至少之一:
对所述第二坯体进行数控机床加工处理;
对所述第二坯体进行抛光处理;
在所述第二坯体的表面上形成防指纹层。
10.一种电子设备壳体,其特征在于,是通过权利要求1~9中任一项所述的方法制作得到的。
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