[发明专利]高效环保的太阳能电池刻蚀工艺在审
申请号: | 202110643038.0 | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113437180A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 常宇峰;蒋红彬;缪强;曲凯;周锦峰;张岩;于亚春;杨恒春 | 申请(专利权)人: | 苏州潞能能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高效 环保 太阳能电池 刻蚀 工艺 | ||
1.一种高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1,前氧化:对SE激光后的硅片进行正面氧化保护;
S2,去PSG:使用氢氟酸溶液去除扩散过程中形成在所述硅片背面的氧化层;
S3,漂洗:使用纯水对所述硅片进行漂洗;
S4,吹干:对所述硅片进行干燥;
S5,前清洗:使用KOH和双氧水的混合溶液对所述硅片进行清洗;
S6,碱抛:将所述硅片浸没在碱溶液中,去除扩散后所述硅片背面形成的PN结;
S7,后清洗:使用双氧水和碱液对所述硅片进行清洗;
S8,酸洗:使用氢氟酸溶液对所述硅片表面进行酸洗,去除所述硅片表面的氧化层;
S9,热水慢提拉:将所述硅片浸没在热水中并缓慢提升使所述硅片表面脱水;
S10,热风烘干:采用加热空气对所述硅片进行烘干。
2.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S5之后,还包括步骤:
S51,漂洗:使用纯水对所述硅片进行漂洗。
3.根据权利要求2所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S6之后,还包括步骤:
S61,漂洗:使用纯水对所述硅片进行漂洗。
4.根据权利要求3所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S7之后,还包括步骤:
S71,漂洗:使用纯水对所述硅片进行漂洗。
5.根据权利要求4所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S8之后,还包括步骤:
S81,漂洗:使用纯水对所述硅片进行漂洗。
6.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S5中,所述混合溶液包括0.5-2%KOH和1-5%双氧水。
7.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S6中,所述碱溶液包括2-5%KOH和0.5-2%添加剂。
8.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S8中,所述氢氟酸溶液包括5-10%HF和5-10%HCL。
9.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S5、S6、S7、S8中,采用清洗槽对所述硅片进行清洗,所述清洗槽包括:
槽体,包括两个回流口和进液口;
两个隔板,分别设置在所述槽体的内底壁上,且分别与所述槽体的两侧壁平行设置,两个所述隔板的上端分别与所述槽体的两侧壁之间形成溢流口,两个所述隔板和所述槽体的两侧壁之间分别形成回流通道,两个所述隔板与所述槽体的底壁之间形成清洗腔,两个所述回流口分别与两个所述回流通道连接;
均流板,设置在两个所述隔板之间,且与所述槽体的底壁平行设置,所述进液口低于所述均流板;
循环泵,所述循环泵的吸入口和两个所述回流口连接,所述循环泵的泵出口和所述进液口连接。
10.根据权利要求1所述的高效环保的太阳能电池刻蚀工艺,其特征在于,在所述步骤S10中,采用烘干装置对所述硅片进行烘干,所述烘干装置包括:
槽体;
侧匀流板和底匀流板,分别设置在所述槽体内,且分别与所述槽体的侧壁和底壁间隔平行设置;
循环风机,设置在所述底匀流板和所述槽体的底壁之间;
风机,通过电加热器与所述槽体连接,能够对所述槽体内吹入加热空气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州潞能能源科技有限公司,未经苏州潞能能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110643038.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的