[发明专利]扫描电子显微镜样品的处理方法在审
| 申请号: | 202110640244.6 | 申请日: | 2021-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN115458380A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 高新雨;陈果;张科;丛琳;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/02 | 分类号: | H01J37/02;G01N23/2202;G01N23/2251 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扫描 电子显微镜 样品 处理 方法 | ||
本发明涉及一种扫描电子显微镜样品的处理方法。所述扫描电子显微镜样品的处理方法包括以下步骤:S1:提供一待观测的样品;S2:提供一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括一基底及设置于基底表面的多个碳纳米管;以及S3:从所述碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜,将该碳纳米管膜铺设在所述样品的表面,该碳纳米管膜包括多个通孔。
技术领域
本发明涉及一种扫描电子显微镜样品的处理方法。
背景技术
扫描电子显微镜(扫描电镜)是一种电子光学仪器,主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态,即用极狭窄的电子束去扫描样品,通过电子束与样品的相互作用产生各种效应,其中主要是样品的二次电子发射。二次电子能够产生样品表面放大的形貌像,这个像是在样品被扫描时按时序建立起来的,即使用逐点成像的方法获得放大像。然而,对于绝缘样品或者导电性不好的样品,在高加速电压下产生的电子不能被导向大地,从而形成样品表面荷电效应,影响扫描电镜(SEM)成像观察。现有技术中,通常的解决方案是在样品的表面喷涂或者蒸镀导电层,如金,铂,碳等,或者采用导电胶涂覆在样品表面,以减少荷电效应。现有技术中的这种样品的处理方式,导电层/导电胶形成在样品表面后,无法从样品上完全去除,导致样品无法二次使用。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种扫描电镜样品的处理方法,该方法可以克服上述缺点。
一种扫描电子显微镜样品的处理方法,包括以下步骤:
S1:提供一待观测的样品;
S2:提供一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括一基底及设置于基底表面的多个碳纳米管;以及
S3:从所述碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜,将该碳纳米管膜铺设在所述样品的表面,该碳纳米管膜包括多个通孔。
本发明所提供的扫描电镜样品的处理方法,通过直接在样品表面铺设一层碳纳米管膜,由于碳纳米管膜中的碳纳米管具有良好的导电性,在扫描电镜的观测过程中,样品表面的电子被碳纳米管导走,从而防止了样品表面的荷电效应,使样品的形貌可以被清楚观测到。同时,由于碳纳米管膜以整体膜的形式存在,而且粘性较小,所以在完成扫描电镜拍照后,碳纳米管膜可以从样品上完全去除,无残留,且不会对样品造成破坏。
附图说明
图1为本发明实施例提供的扫描电镜样品的处理方法的流程图。
图2为本发明实施例中碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图3是本发明实施例中,在单晶氧化镁基底表面刻蚀“THU”字母图案后,采用扫描电镜直接观察(未处理)获得的照片。
图4是图3中的单晶氧化镁基底表面刻蚀“THU”字母图案采用本实施例提供的扫描电镜样品的处理方法处理之后用扫描电镜观察(处理后)获得的照片。
图5是图3中的单晶氧化镁基底表面刻蚀“THU”字母图案采用本实施例提供的扫描电镜样品的处理方法处理之后在不同加速电压下用扫描电镜观察(处理后)获得的照片。
图6是本发明实施例中,在石英玻璃基底表面刻蚀“THU”字母图案后,直接用扫描电镜观察(未处理)获得的照片。
图7是图6中的石英玻璃采用本发明实施例提供的扫描电镜样品的处理方法处理之后用扫描电镜观察(处理后)获得的照片。
图8是图7中处理后的样品完成扫描电镜观察之后,将碳纳米管膜从样品上剥离之后用扫描电镜观察(剥离后)获得的照片。
图9是图6中的石英玻璃采用现有技术中的导电胶处理之后用扫描电镜观察(处理后)获得的照片。
图10图9中的样品完成扫描电镜观察之后,将导电胶从石英玻璃基底表面去除之后用扫描电镜观察(剥离后)获得的照片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110640244.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





