[发明专利]神经电路、检测电路、检测系统及电路制备方法在审
申请号: | 202110632366.0 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN115511064A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 刘琦;冯冠;吴祖恒;汪泳州;张续猛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063;G06N3/04 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 神经 电路 检测 系统 制备 方法 | ||
1.一种神经电路,其特征在于,包括第一传感器、第二传感器、第一负载电阻、第二负载电阻、第三负载电阻、第四负载电阻、第一输出电阻、第二输出电阻、第一电容、第二电容、第一忆阻器以及第二忆阻器;
所述第一传感器的一端、所述第一负载电阻的一端以及所述第四负载电阻的一端连接;所述第二传感器的一端、所述第二负载电阻的一端以及所述第三负载电阻的一端连接;所述第一负载电阻的另一端、所述第二负载电阻的另一端、所述第一电容的一端以及所述第一忆阻器的一端连接;所述第三负载电阻的另一端、所述第四负载电阻的另一端、所述第二电容的一端以及所述第二忆阻器的一端连接;
所述第一忆阻器的另一端作为第一输出端,用于输出第一脉冲信号,且与所述第一输出电阻的一端连接;所述第二忆阻器的另一端作为第二输出端,用于输出第二脉冲信号,且与所述第二输出电阻的一端连接;
所述第一电容的另一端与所述第一输出电阻的另一端连接后接地,所述第二电容的另一端与所述第二输出电阻的另一端连接后接地,所述第一传感器的另一端以及所述第二传感器的另一端分别接地。
2.如权利要求1所述的神经电路,其特征在于,所述第一负载电阻与所述第三负载电阻的阻值相同,所述第二负载电阻与所述第四负载电阻的阻值相同,且所述第一负载电阻和所述第三负载电阻的阻值大于所述第二负载电阻和所述第四负载电阻的阻值。
3.如权利要求1所述的神经电路,其特征在于,所述第一传感器和所述第二传感器在电路板上的相对位置按照水平方向或者垂直方向设置;
当所述第一传感器和所述第二传感器设置于所述电路板的垂直方向时,所述神经电路用于检测物体在垂直方向上的运动方向;
当所述第一传感器和所述第二传感器设置于所述电路板的水平方向时,所述神经电路用于检测物体在水平方向上的运动方向。
4.一种运动方向检测电路,其特征在于,包括第一检测电路和第二检测电路,所述第一检测电路和所述第二检测电路分别为如权利要求1~3任一所述的神经电路;
其中,所述第一检测电路中的第一传感器和第二传感器在电路板上沿垂直方向设置,用于检测物体在垂直方向上的运动方向;
所述第二检测电路中的第一传感器和第二传感器在电路板上沿水平方向设置,用于检测物体在水平方向上的运动方向。
5.一种碰撞检测系统,其特征在于,包括N个如权利要求4所述的运动方向检测电路,N为大于等于1的自然数。
6.一种电路制备方法,其特征在于,两个所述电路并联,组成如权利要求1~3任一所述的神经电路,所述方法包括:
在半导体衬底上沉积隔离层;
在所述隔离层上沉积第一电极层;
在所述第一电极层的第一区域表面自下向上依次制备所述第一输出电阻和所述第一忆阻器,并在所述第一电极层的第二区域表面自下向上依次沉积电容电介质层和第二电极层,其中,所述第一电极层、所述电容电介质层和所述第二电极层构成所述第一电容;
在所述第一电极层的第三区域上沉积绝缘层,其中,所述绝缘层将所述第一输出电阻层以及所述第一忆阻器与所述第一电容隔开;
在所述第一忆阻器、所述绝缘层和所述第一电容的表面自下而上依次制备负载电阻、所述第一传感器以及第三电极层,其中,所述负载电阻包括所述第一负载电阻和所述第二负载电阻。
7.如权利要求6所述的电路制备方法,其特征在于,所述在所述第一电极层的第一区域表面自下向上依次制备第一输出电阻和第一忆阻器,包括:
在所述第一电极层的第一区域表面沉积第一输出电阻层;
在所述第一输出电阻层的表面自下而上依次沉积底电极层、功能层和顶电极层,以形成所述忆阻器。
8.如权利要求7所述的电路制备方法,其特征在于,所述功能层的材料为VO2、NbOx、SiO2:Ag、HfO2、SiNx、TaOx、a-Si:Cu、a-Si:Ag。
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