[发明专利]一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转化中的应用有效

专利信息
申请号: 202110631456.8 申请日: 2021-06-07
公开(公告)号: CN113481600B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 张弛;林霖;吴超 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B7/10;G02F1/355
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 刘燕武
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 碘酸 磷酸 铈二阶 非线性 光学 晶体 材料 及其 制备 激光 频率 转化 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料,其特征在于,其化学式为Ce(IO3)2(H2PO4)2

该晶体材料属于正交晶系,其空间群为Pna21,晶胞参数为a = 6.91~6.92 Å,b = 25.53~25.55 Å,c = 6.93~6.94 Å,α = β = γ = 90°,Z = 4,晶胞体积为V = 1222.5~1227.1Å3

2.如权利要求1所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,先取铈源、碘源、磷酸和水混合后,得到初始混合料,再在水热条件下晶化,即得到目的产物。

3.根据权利要求2所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,初始混合料中,铈元素、碘元素、磷酸和水的添加比例为1mmol:(0.5~15)mmol:(0.5~6)mL:(0~5)mL。

4.根据权利要求2所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,所述的铈源为二氧化铈、硝酸高铈或硝酸铈;

所述的碘源为高碘酸、碘酸或五氧化二碘。

5.根据权利要求2所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,水热条件的温度为140-200℃,晶化时间不少于24h。

6.根据权利要求2所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,晶化完成后,所得产物以0.5~10℃/h的降温速率降至室温,再过滤清洗后,即得到目的产物。

7.根据权利要求2所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的制备方法,其特征在于,晶化过程在密闭反应釜内进行。

8.如权利要求1所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的应用,其特征在于,该晶体材料用于激光频率转换。

9.根据权利要求8所述的一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料的应用,其特征在于,该晶体材料用于可见和中远红外激光变频输出。

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