[发明专利]一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转换中的应用

权利要求书

1.一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，其化学式为RbTeMo₂O₈F；

该晶体材料属于单斜晶系，其空间群为Pn，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝95.13～95.32，Z＝2，晶胞体积为

2.根据权利要求1所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，该晶体材料的晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝95.236～95.260，Z＝2，晶胞体积为

3.如权利要求1或2所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，取钼源、铷源、碲源、氟源和水混合形成初始混合原料，接着在水热条件下晶化，即得到目的产物。

4.根据权利要求3所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述的钼源为三氧化钼；所述的铷源为氟化铷或碳酸铷；所述的碲源为二氧化碲；所述的氟源为氢氟酸。

5.根据权利要求3所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，初始混合原料中，钼元素、铷元素、碲元素、氟元素和水的摩尔比例为1：(0.5～20)：(1～50)：(1～10)：(20～600)。

6.根据权利要求3所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，水热条件的温度为150～230℃，晶化时间不少于24h。

7.根据权利要求3所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，晶化完成后，以0.5～15℃/h的降温速率冷却至室温。

8.如权利要求1或2所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，该晶体材料用于激光频率转换。

9.根据权利要求8所述的一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，该晶体材料用于可见光和中红外激光变频输出。