[发明专利]电子器件、电子器件的制造方法和蒸镀掩模组

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，其具备下述工序：

准备工序，准备层积体，该层积体包含具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面的基板、位于所述基板的所述第1面上的2个以上的第1电极、和所述第1电极上的有机层；

第2电极形成工序，按照沿着所述基板的所述第1面的法线方向观察时与2个以上的所述第1电极重叠的方式，在所述有机层上形成第2电极；和

除去工序，将所述第2电极中俯视时不与所述第1电极重叠的区域局部性除去。

2.如权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，除去工序将所述第2电极中俯视时位于所述第1电极之间的区域局部性除去。

3.如权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，所述除去工序包括对所述第2电极照射激光而形成第2电极开口的照射工序。

4.如权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，所述照射工序包括通过激光掩模的贯通孔对所述第2电极照射激光而形成第2电极开口的工序。

5.如权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，所述第2电极包含面向所述第2电极开口的侧面，

所述第2电极的所述侧面的高度大于所述第2电极中俯视时与所述第1电极重叠的区域的厚度。

6.如权利要求5所述的电子器件的制造方法，其中，所述第2电极的所述侧面的高度为所述第2电极中俯视时与所述第1电极重叠的区域的厚度的1.1倍以上。

7.如权利要求3～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其具备形成俯视时与所述第2电极和所述第2电极开口重叠的保护层的工序。

8.如权利要求3～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述照射工序包括对所述有机层中俯视时与所述第2电极开口重叠的区域照射激光而形成有机层开口的工序。

9.如权利要求8所述的电子器件的制造方法，其中，所述有机层的面向所述有机层开口的侧面的宽度为2.0μm以下。

10.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体的所述有机层包含在俯视时不与所述第1电极重叠的位置处相互重叠的第1有机层和第2有机层，

所述除去工序包含将相互重叠的所述第1有机层和所述第2有机层至少局部性除去的工序。

11.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体包含俯视时位于相邻的2个所述有机层之间的有机层开口，

所述第2电极形成工序按照俯视时所述第2电极与所述有机层和所述有机层开口重叠的方式形成所述第2电极，

所述除去工序将所述第2电极中俯视时与所述有机层开口重叠的区域局部性除去。

12.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述层积体包含俯视时位于所述第1电极之间的绝缘层。

13.如权利要求12所述的电子器件的制造方法，其中，所述除去工序包括将所述绝缘层局部性除去的工序。

14.如权利要求1～6中任一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述准备工序包括通过蒸镀掩模的贯通孔将所述有机层的材料蒸镀到所述第1电极上的工序。