[发明专利]3D NAND存储器的空洞检测方法

说明书

本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，包括以下步骤：刻蚀去除部分选择性外延生长层得到目标选择性外延生长层，所述目标选择性外延生长层的顶部低于或者齐平于绝缘层的顶部；形成覆盖于所述目标选择性外延生长层表面的第一保护层；对沟道孔进行退火处理；形成覆盖于衬底的侧壁和底部的第二保护层；使用湿法刻蚀工艺对所述3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。本申请提供的空洞检测方法，将所述选择性外延生长层刻蚀至其顶部低于或者齐平于所述绝缘层的顶部，再使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，通过检测所述衬底是否存在刻蚀痕迹而确定所述3D NAND存储器是否存在空洞，从而提高生产效率以及产品良率。

技术领域

本申请涉及存储器制造技术领域，尤其涉及一种3D NAND存储器的空洞检测方法。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。

目前，3D NAND存储器的制造工艺包括：在衬底上形成介电层和牺牲层交替堆叠的堆叠结构；在堆叠结构中形成贯穿该堆叠结构的沟道孔；在沟道孔中形成选择性外延生长层(SEG)；去除牺牲层并填充导电材料，以形成栅极。

其中，在形成选择性外延生长层的过程中，有可能会在选择性外延生长层中形成空洞，该空洞会使得底部选择性栅极(BSG)与衬底连通，而引发漏电等异常，进而影响3DNAND存储器的产品良率以及生产效率。因此，为了避免这种情况发生，需要提供一种3DNAND存储器的空洞缺陷的检测方法。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，能够检测出选择性外延生长层中的空洞，防止3D NAND存储器产生漏电异常，从而提高3D NAND存储器的产品良率以及生产效率。

本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，用于对3D NAND存储器进行检测，所述3D NAND存储器包括层叠设置的衬底及堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括形成于所述衬底上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一层堆叠层、沿堆叠方向贯穿所述至少一层堆叠层以及所述绝缘层的沟道孔、以及位于所述沟道孔中的选择性外延生长层，所述方法包括以下步骤：刻蚀去除部分所述选择性外延生长层得到目标选择性外延生长层，所述目标选择性外延生长层的顶部低于或者齐平于所述绝缘层的顶部；形成覆盖于所述目标选择性外延生长层表面的第一保护层；对所述沟道孔进行退火处理；形成覆盖于所述衬底的侧壁和底部的第二保护层；使用湿法刻蚀工艺对所述3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。

本申请提供的3D NAND存储器的空洞检测方法，将所述选择性外延生长层刻蚀至其顶部低于或者齐平于所述绝缘层的顶部，然后分别保护所述选择性外延生长层以及所述衬底的侧壁和底部，以防在使用湿法刻蚀工艺对所述衬底进行处理时，所述选择性外延生长层、所述衬底的底部和侧壁被刻蚀，再使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，通过检测所述衬底是否存在刻蚀痕迹，而确定所述选择性外延生长层中是否存在空洞，从而提高了3D NAND存储器的生产效率以及产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的3D NAND存储器的截面示意图。

图2是本申请实施例提供的3D NAND存储器的空洞检测方法的流程图。

图3至图7是与图2中方法步骤对应的3D NAND存储器的截面示意图。

附图标记：