[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其中，所述方法包含以下步骤：

形成电极，所述电极包含在半导体层上依次层叠的Ni层和Au层；

通过在350℃以上的温度下对所述电极进行热处理以在所述Au层的至少一部分表面处析出Ni、并且将所析出的Ni氧化从而形成Ni氧化膜；以及

形成与所述Ni氧化膜接触并且含有Si的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，所述热处理在含氧气氛中进行以同时进行Ni的析出和氧化。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中，所述气氛主要含有氮气并且所述气氛中的氧气浓度为21％以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其中，将所述热处理进行15分钟以上。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其还包含以下步骤：

在所述形成电极的步骤之前，通过使用减压CVD法和等离子体CVD法中的至少一种在所述半导体层上形成SiN膜；以及

在所述SiN膜中形成用于露出所述半导体层的开口，

其中，所述电极覆盖所述开口。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件制造方法，其中，所述绝缘膜通过使用等离子体CVD法而形成。

7.一种半导体器件制造方法，其中，所述方法包含以下步骤：

形成电极，所述电极包含在半导体层上的Ni层和在所述Ni层上的Au层；

通过对所述电极进行热处理以使Ni从所述Ni层移动到所述Au层的至少一部分表面处并且将位于所述表面上的移动的Ni氧化，从而形成Ni氧化膜；以及

形成与所述Ni氧化膜接触并且含有Si的绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，所述热处理在350℃以上的温度下进行。

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其中，在所述进行热处理的步骤中，所述Ni层中的Ni扩散并且所扩散的Ni中的至少一部分到达所述Au层中的所述Au层表面。

10.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其中所述热处理在含氧气氛中进行以同时进行Ni的析出和氧化。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制造方法，其中，所述气氛主要含有氮气并且所述气氛中的氧气浓度为21％以下。

12.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其中，将所述热处理进行15分钟以上。

13.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其还包含以下步骤：

在所述形成电极的步骤之前，通过使用减压CVD法和等离子体CVD法中的至少一种在所述半导体层上形成SiN膜；以及

在所述SiN膜中形成用于露出所述半导体层的开口，

其中，所述电极覆盖所述开口。

14.根据权利要求7或8所述的半导体器件制造方法，其中，所述绝缘膜通过使用等离子体CVD法而形成。