[发明专利]一种紫外LED封装结构在审
| 申请号: | 202110608147.9 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN113506846A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | 黄森鹏;陈顺意;黄永特;余长治;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/62 |
| 代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 黄斌 |
| 地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 led 封装 结构 | ||
1.一种紫外LED封装结构,包括紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材,所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通,且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙,其特征在于:所述绝缘间隙内填充有遮蔽物,该遮蔽物为含有部分结晶物的氟树脂材料,所述氟树脂材料的结晶度大于10%。
2.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述氟树脂材料为含氟的共聚物。
3.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述氟树脂材料为含氟碳的共聚物。
4.根据权利要求3所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述氟树脂材料为EFEP、FEP、PFA、ETFE、PCTFE、PVF和PTFE的其一或者其组合。
5.根据权利要求4所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述氟树脂材料的结晶度为40%~100%。
6.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材为与遮蔽物材料组份相同的氟树脂材料。
7.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材为氟树脂材料,其结晶度为50%以下。
8.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材等厚地沿芯片表面和封装基板表面将紫外LED芯片完全包覆。
9.根据权利要求8所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材的厚度为50~400μm。
10.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装基板与所述封装胶材接触的位置上具有图案化结构。
11.根据权利要求10所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述图案化结构为金属层。
12.根据权利要求11所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述金属层具有多个凹槽。
13.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装结构的表面基本形成平面结构。
14.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材采用氟树脂材料,其结晶度小于所述遮蔽物的结晶度。
15.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述LED芯片的发光波长为200~340nm。
16.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装结构形成凹凸的曲面结构。
17.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材的厚度小于所述紫外LED芯片的厚度。
18.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶材的厚度为50-400μm。
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