[发明专利]一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端

权利要求书

1.一种非易失型存储器擦除方法，其特征在于，包括以下过程：在NOR FLASH进行擦除操作的初始阶段，对需要进行擦除操作的flash cell施加第一衬底正高压爬升值进行擦除操作，对与该flash cell对应的位线施加第一过擦除检测电压进行过擦除检测，所述flashcell的阈值电压不低于0V；在整个擦除操作过程中，所述第一衬底正高压爬升值为施加到需要进行擦除操作的flash cell上的最大衬底正高压爬升值。

2.根据权利要求1所述的非易失型存储器擦除方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

s11：在NOR FLASH进行擦除操作的初始阶段，对需要进行擦除操作的flash cell施加第一衬底正高压爬升值进行擦除操作；

s12：对与所述flash cell对应的位线施加第一过擦除检测电压进行过擦除检测，若通过则跳转至s13，若失败则跳转至s21，其中所述flash cell的阈值电压不低于0V；

s13：对所述flash cell进行擦除操作检测，若通过则跳转至s3，若失败则跳转至s11；

s21：对与所述flash cell对应的位线施加第二过擦除检测电压进行过擦除检测，若通过则跳转至s23，若失败则跳转至s22；

s22：对所述flash cell进行过擦除纠正，并跳转至s21；

s23：对所述flash cell进行擦除操作检测，若通过则跳转至s3，若失败则跳转至s24；

s24：对所述flash cell施加第二衬底正高压爬升值进行擦除操作，其并跳转至s21，其中所述flash cell的阈值电压不低于0V；

s3：擦除操作结束。

3.根据权利要求1或2任一所述的非易失型存储器擦除方法，其特征在于，所述第一过擦除检测电压不小于第一衬底正高压爬升值。

4.根据权利要求3所述的非易失型存储器擦除方法，其特征在于，所述第一过擦除检测电压大于第一衬底正高压爬升值。

5.根据权利要求2所述的非易失型存储器擦除方法，其特征在于，所述第二过擦除检测电压不小于第二衬底正高压爬升值。

6.根据权利要求5所述的非易失型存储器擦除方法，其特征在于，所述第二过擦除检测电压大于第二衬底正高压爬升值。

7.一种非易失型存储器擦除装置，其特征在于，包括：

衬底正高压爬升值施加模块，对需要进行擦除操作的flash cell施加衬底正高压爬升值以进行擦除操作；

过擦除检测电压施加模块，对与所述flash cell对应的位线施加过擦除检测电压以进行过擦除检测。

8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至6任一项所述的方法。

9.一种终端设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至6任一项所述的方法。