[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板设有显示区域以及位于所述显示区域外围的边框区域，所述阵列基板包括：

衬底；

图案化的屏蔽层，设置在所述衬底的一侧，包括位于所述显示区域的第一屏蔽块以及位于所述边框区域的第二屏蔽块，其中，所述第二屏蔽块的厚度大于所述第一屏蔽块的厚度，所述第一屏蔽块用于隔绝静电，所述第二屏蔽块至少突出所述第一屏蔽块的部分用于传输电信号；

半导体层，设置在所述屏蔽层背离所述衬底一侧，其中，所述半导体层的有源区在所述衬底上的正投影与所述第一屏蔽块在所述衬底上的正投影至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层包括：

图案化的第一屏蔽子层，位于所述显示区域和所述边框区域；

图案化的第一导电子层，层叠设置于位于所述边框区域的所述第一屏蔽子层背离所述衬底一侧；

其中，位于所述显示区域的所述第一屏蔽子层构成所述第一屏蔽块，位于所述边框区域的所述第一屏蔽子层和所述第一导电子层构成所述第二屏蔽块。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子层和所述第一导电子层的材料不同。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子层的材料为半导体材料，优选地，所述半导体材料包括非晶硅。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽子层的材料为导电材料。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层还包括：

图案化的第二导电子层，层叠设置于位于所述边框区域的所述第一导电子层背离所述衬底一侧，其中，位于所述边框区域的所述第一屏蔽子层、所述第一导电子层和所述第二导电子层进一步构成所述第二屏蔽块；

其中，所述第二导电子层的材料和所述第一屏蔽子层的材料相同。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电子层的厚度大于所述第一屏蔽子层的厚度。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底一侧形成图案化的屏蔽层，所述屏蔽层包括位于显示区域的第一屏蔽块以及位于边框区域的第二屏蔽块，其中，所述第二屏蔽块的厚度大于所述第一屏蔽块的厚度，所述第一屏蔽块用于隔绝静电，所述第二屏蔽块至少突出所述第一屏蔽块的部分用于传输电信号；

在所述屏蔽层背离所述衬底一侧设置半导体层，其中，所述半导体层的有源区在所述衬底上的正投影与所述第一屏蔽块在所述衬底上的正投影至少部分重合。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底一侧形成图案化的屏蔽层的步骤，包括：

在所述衬底一侧依次形成第一屏蔽子层、第一导电子层以及光刻胶层；

利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述掩膜板包括与所述显示区域对应的第一遮光区域以及与所述边框区域对应的第二遮光区域，所述第一遮光区域的透光率大于所述第二遮光区域的透光率；

对经过曝光后的所述光刻胶层进行显影，并以显影后的所述光刻胶层为掩膜对所述第一导电子层、所述第一屏蔽子层进行刻蚀；

去除显影后的所述光刻胶层直至对应所述显示区域的所述第一导电子层裸露；

以剩余的所述光刻胶层为掩膜对所述第一导电子层进行刻蚀直至对应所述显示区域的所述第一屏蔽子层裸露；

去除剩余的所述光刻胶层。