[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和显示面板有效
申请号: | 202110598077.3 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113345968B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 罗成志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:
基板;
催化部,所述催化部设置在所述基板上;
有源层,所述有源层设置在所述基板上并与所述催化部接触,所述有源层的组成材料包括单晶硅或多晶硅;
缓冲层,所述缓冲层设置于所述基板上方,所述缓冲层具有凹槽,所述催化部和所述有源层设置在所述凹槽内,所述催化部和所述有源层同层设置,所述有源层设置在所述催化部的一侧;
其中,当所述凹槽的宽度范围为1微米至2微米时,所述有源层的组成材料为所述单晶硅,当所述凹槽的宽度范围为2微米至10微米时,所述有源层的组成材料为所述多晶硅。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述催化部的组成材料为金属催化剂。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述金属催化剂包括铟、镓以及锡中的一种或者其组合。
4.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成缓冲层,所述缓冲层具有凹槽;
在所述凹槽内一侧形成催化部;
在所述缓冲层和所述催化部上形成非晶硅薄膜层,得到目标基板,其中,所述非晶硅薄膜层包括目标非晶硅薄膜层,所述目标非晶硅薄膜层位于所述凹槽内并与所述催化部的侧部接触;
对所述目标基板进行退火处理,使所述目标非晶硅薄膜层在所述催化部的催化下转化成单晶硅层或多晶硅层,以得到有源层;当所述凹槽的宽度范围为1微米至2微米时,所述有源层的组成材料为所述单晶硅,当所述凹槽的宽度范围为2微米至10微米时,所述有源层的组成材料为所述多晶硅。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管。
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