[发明专利]一种非易失性存储器的磨损均衡系统有效

专利信息
申请号: 202110596007.4 申请日: 2021-05-29
公开(公告)号: CN113253935B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 宋远岑;陈育鸣;洪振洲 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 丁桂红
地址: 226399 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 非易失性存储器 磨损 均衡 系统
【说明书】:

发明属于存储系统领域,尤其是一种非易失性存储器的磨损均衡系统,针对现有的非易失性储存器写入速度较慢,在进行大量数据写入时,比较耽误时间,影响系统其他操作的问题,现提出如下方案,其包括依次连接的主机、地址转换器和连接在地址转换器上的非易失性储存器与随机访问储存器,所述主机内设置有主控模块,地址转换器内设置有非易失性储存器控制单元、随机访问储存器控制单元、缓存单元与清除单元,所述主控单元上连接有非易失性储存器控制单元和随机访问储存器控制单元,随机访问储存器控制单元上连接有随机访问储存器,本发明可以对数据进行分类输入,有效利用闲暇时间进行数据写入,方便高效。

技术领域

本发明涉及存储系统技术领域,尤其涉及一种非易失性存储器的磨损均衡系统。

背景技术

随着集成电路的快速发展,便携式电子产品的使用也越来越广泛,进而也推动了片上系统的发展。片上系统是指在单个芯片上集成一个完整的系统,通常包括中央处理器(CPU)、只读存储器ROM、随机访问存储器RAM、非易失性存储器(如Flash/EEPROM)和其他功能模块。其中,RAM是系统中使用最频繁且与CPU交互最多的单元,而非易失性存储器属于慢速存储器,尤其是写操作耗时很长。

现有的非易失性储存器写入速度较慢,在进行大量数据写入时,比较耽误时间,影响系统其他操作。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的非易失性储存器写入速度较慢,在进行大量数据写入时,比较耽误时间,影响系统其他操作的缺点,而提出的一种非易失性存储器的磨损均衡系统。

为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

一种非易失性存储器的磨损均衡系统,包括依次连接的主机、地址转换器和连接在地址转换器上的非易失性储存器与随机访问储存器,所述主机内设置有主控模块,地址转换器内设置有非易失性储存器控制单元、随机访问储存器控制单元、缓存单元与清除单元,所述主控单元上连接有非易失性储存器控制单元和随机访问储存器控制单元,随机访问储存器控制单元上连接有随机访问储存器,非易失性储存器控制单元上连接有非易失性储存器,随机访问储存器上连接有缓存单元,缓存单元与非易失性储存器控制单元相连接,非易失性储存器上连接有清除单元。

优选的,所述缓存单元内包括系统运行检测子单元与延时控制子单元,系统运行检测子单元与延时控制子单元相连接。

优选的,所述清除单元包括检测读取子单元与强电场子单元,检测读取子单元与强电场子单元相连接。

优选的,所述主控模块可以方便对数据进行分类导入,对于紧急数据可以直接传输至非易失性储存器控制单元中,对于闲暇数据,可以传输至随机访问储存器控制单元中。

优选的,所述随机访问储存器可以对随机访问储存器控制单元中的数据进行读取,并分类选择写入,缓存单元可以对分类后的数据进行写操作命令,并将数据写入缓存单元,缓存单元内的系统运行检测子单元可以发送控制信号至延时控制子单元中,等系统处于闲暇时间时,可以将数据传输至非易失性储存器控制单元中。

优选的,所述非易失性储存器控制单元可以对来自主控模块与缓存单元的数据进行处理,并传输至非易失性储存器中进行写入。

优选的,所述非易失性储存器可以对数据进行只读保存,并通过主控模块可以对数据进行调出查看,清除单元可以对非易失性储存器内的数据进行清除。

优选的,所述检测读取子单元可以从非易失性储存器中读取对应的数据,并通过强电场子单元可以对选中的数据进行清除。

本发明还提出了一种非易失性存储器的磨损均衡系统的使用方法,包括以下步骤:

S1:通过主控模块可以将数据按照紧急数据与闲暇数据进行分类,分类后可以将闲暇数据传输至随机访问储存器控制单元中保存,将紧急数据传输至非易失性储存器控制单元中保存;

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