[发明专利]平板探测器及其制备方法、摄影设备在审
申请号: | 202110594517.8 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113325459A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 张正东;李挺;张亚东;罗皓;吴博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/161 | 分类号: | G01T1/161;G01T1/202;A61B6/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 探测器 及其 制备 方法 摄影 设备 | ||
本公开提供一种平板探测器及其制备方法、摄影设备,属于成像技术领域。本公开提供的平板探测器,包括依次层叠设置的无机缓冲层、驱动层、检测层和闪烁层;所述检测层设置有感光元件;所述驱动层包括层叠设置的驱动电路层和图案限定层;所述图案限定层具有容置凹槽,所述感光元件至少部分容置于所述容置凹槽中。本公开提供的平板探测器能够提高平板探测器的均一性。
技术领域
本公开涉及成像技术领域,具体而言,涉及一种平板探测器及其制备方法、摄影设备。
背景技术
平板型数字化摄影(DR)技术,可以清晰的拍摄出病人体内多种器官,被广泛应用于医疗成像中。其中,X光平板探测器是平板型数字化摄影(DR)技术的关键组件之一。然而,当前平板探测器存在均一性差的问题,制约了成像效果的提升。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种平板探测器及其制备方法、摄影设备,提高平板探测器的均一性。
根据本公开的一个方面,提供一种平板探测器,包括依次层叠设置的无机缓冲层、驱动层、检测层和闪烁层;所述检测层设置有感光元件;所述驱动层包括层叠设置的驱动电路层和图案限定层;
所述图案限定层具有容置凹槽,所述感光元件至少部分容置于所述容置凹槽中。
根据本公开的一种实施方式,所述容置凹槽贯穿所述图案限定层。
根据本公开的一种实施方式,所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极;
所述容置凹槽的深度,不小于所述光敏半导体层的厚度的一半。
根据本公开的一种实施方式,所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极;所述第一电极位于所述第二电极靠近所述无机缓冲层的一侧;
所述第二电极在所述无机缓冲层上的正投影,与所述容置凹槽在所述无机缓冲层上的正投影重合。
根据本公开的一种实施方式,所述图案限定层位于所述驱动电路层远离所述无机缓冲层的一侧;
所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极;所述第一电极位于所述第二电极靠近所述无机缓冲层的一侧;
所述光敏半导体层至少部分嵌入所述容置凹槽中。
根据本公开的一种实施方式,所述驱动电路层包括开关晶体管;
所述图案限定层位于所述开关晶体管的漏电极远离所述无机缓冲层的一侧,且所述容置凹槽贯穿所述图案限定层;所述容置凹槽在所述无机缓冲层上的正投影,位于所述开关晶体管的漏电极在所述无机缓冲层上的正投影内;
所述开关晶体管的漏电极作为所述感光元件的第一电极。
根据本公开的一种实施方式,所述图案限定层位于所述驱动电路层与所述无机缓冲层之间。
根据本公开的另一个方面,提供一种摄影设备,包括上述的平板探测器。
根据本公开的另一个方面,提供一种平板探测器的制备方法,包括:
形成无机缓冲层;
在所述无机缓冲层的一侧形成驱动层;所述驱动层包括层叠设置的驱动电路层和图案限定层;所述图案限定层具有容置凹槽;
在所述驱动层远离所述无机缓冲层的一侧形成检测层,所述检测层设置有感光元件;所述感光元件至少部分容置于所述容置凹槽中;
在所述检测层远离所述无机缓冲层的一侧形成闪烁层。
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