[发明专利]平板探测器及其制备方法、摄影设备

权利要求书

1.一种平板探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的无机缓冲层、驱动层、检测层和闪烁层；所述检测层设置有感光元件；所述驱动层包括层叠设置的驱动电路层和图案限定层；

所述图案限定层具有容置凹槽，所述感光元件至少部分容置于所述容置凹槽中。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述容置凹槽贯穿所述图案限定层。

3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极；

所述容置凹槽的深度，不小于所述光敏半导体层的厚度的一半。

4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极；所述第一电极位于所述第二电极靠近所述无机缓冲层的一侧；

所述第二电极在所述无机缓冲层上的正投影，与所述容置凹槽在所述无机缓冲层上的正投影重合。

5.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述图案限定层位于所述驱动电路层远离所述无机缓冲层的一侧；

所述感光元件包括依次层叠设置的第一电极、光敏半导体层和第二电极；所述第一电极位于所述第二电极靠近所述无机缓冲层的一侧；

所述光敏半导体层至少部分嵌入所述容置凹槽中。

6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述驱动电路层包括开关晶体管；

所述图案限定层位于所述开关晶体管的漏电极远离所述无机缓冲层的一侧，且所述容置凹槽贯穿所述图案限定层；所述容置凹槽在所述无机缓冲层上的正投影，位于所述开关晶体管的漏电极在所述无机缓冲层上的正投影内；

所述开关晶体管的漏电极作为所述感光元件的第一电极。

7.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述图案限定层位于所述驱动电路层与所述无机缓冲层之间。

8.一种摄影设备，包括权利要求1～7任意一项所述的平板探测器。

9.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，包括：

形成无机缓冲层；

在所述无机缓冲层的一侧形成驱动层；所述驱动层包括层叠设置的驱动电路层和图案限定层；所述图案限定层具有容置凹槽；

在所述驱动层远离所述无机缓冲层的一侧形成检测层，所述检测层设置有感光元件；所述感光元件至少部分容置于所述容置凹槽中；

在所述检测层远离所述无机缓冲层的一侧形成闪烁层。

10.根据权利要求9所述的平板探测器的制备方法，其特征在于，在所述无机缓冲层的一侧形成驱动层包括：

形成图案限定材料层，所述图案限定材料层的材料为负光刻胶；

采用第一掩膜板对所述图案限定材料层进行图案化处理，以形成所述容置凹槽；

在所述驱动层远离所述无机缓冲层的一侧形成检测层包括：

形成依次层叠于所述驱动层的感光半导体材料层和第二电极材料层；

采用所述第一掩膜板，对所述第二电极材料层进行图案化操作，以形成第二电极；

采用所述第二电极作为掩膜，对所述感光半导体材料层进行图案化操作，以形成感光半导体层。