[发明专利]一种量子点太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202110589611.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113410389B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张昕彤;王莹琳;贾玉雯;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 130024 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点太阳能电池，由依次层叠设置的导电衬底、界面缓冲层、n型PbS量子点层、p型PbS量子点层和电极层组成；
所述界面缓冲层的材料为ZnO和SnO2中的至少一种；
所述量子点太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
在导电衬底上采用原子层沉积的方法生长界面缓冲层；
在所述界面缓冲层的表面采用旋涂的方法制备n型PbS量子点层；
在所述n型PbS量子点层的表面制备p型PbS量子点层；
在所述p型PbS量子点层的表面采用真空热蒸发的方法制备电极层；
所述原子层沉积的生长源为二乙基锌和四(二甲氨基)锡中的至少一种；
所述原子层沉积的生长温度为100～200℃，生长循环层数为5层或30～150层。
2.根据权利要求1所述的量子点太阳能电池，其特征在于，所述界面缓冲层的厚度为1～5nm。
3.根据权利要求2所述的量子点太阳能电池，其特征在于，所述界面缓冲层的厚度为3～4nm。
4.根据权利要求1所述的量子点太阳能电池，其特征在于，所述n型PbS量子点层的材料为PbI2包覆的PbS量子点；所述n型PbS量子点层的厚度为200～400nm。
5.根据权利要求1所述的量子点太阳能电池，其特征在于，所述p型PbS量子点层的材料为1,2-乙二硫醇配体包覆的PbS量子点；所述p型PbS量子点层的厚度为10～80nm。
6.根据权利要求1所述的量子点太阳能电池，其特征在于，所述电极层的材料为金或铝；所述电极层的厚度为80～100nm。
7.权利要求1～6任意一项所述量子点太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
在导电衬底上采用原子层沉积的方法生长界面缓冲层；
在所述界面缓冲层的表面采用旋涂的方法制备n型PbS量子点层；
在所述n型PbS量子点层的表面制备p型PbS量子点层；
在所述p型PbS量子点层的表面采用真空热蒸发的方法制备电极层；
所述原子层沉积的生长源为二乙基锌和四(二甲氨基)锡中的至少一种；
所述原子层沉积的生长温度为100～200℃，生长循环层数为5层或30～150层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂的转速为1000～3000r/min。
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