[发明专利]存储单元及其操作方法

说明书

本发明的实施例公开了一种存储单元，包括写位线、写入晶体管和读取晶体管。写入晶体管连接在写位线和第一节点之间。读取晶体管通过第一节点连接至写入晶体管。读取晶体管包括铁电层。写入晶体管被配置为通过调整读取晶体管的极化状态的写位线信号来设置存储单元的存储数据值。极化状态对应于所存储的数据值。本发明的实施例还公开了一种操作存储单元的方法。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储单元及其操作方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经产生了各种各样的数字设备，以解决许多不同领域中的问题。这些数字设备中的某些(例如内存宏)已配置为用于数据存储。随着IC变得越来越小和越来越复杂，这些数字设备中导线的电阻也发生了变化，从而影响了这些数字设备的工作电压和整体IC性能。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种存储单元，包括：写位线；写入晶体管，连接在所述写位线与第一节点之间；以及读取晶体管，通过所述第一节点连接至所述写入晶体管；其中，所述读取晶体管包括铁电层，并且所述写入晶体管被配置为通过调整所述读取晶体管的极化状态的写位线信号来设置所述存储单元的存储数据值，所述极化状态与所述存储数据值相对应。

根据本发明的另一个方面，提供了一种存储单元，包括：写位线；写字线；第一类型的写入晶体管，连接至所述写位线、所述写字线和第一节点，所述写入晶体管被配置为响应于写字线信号而被启用或禁用；以及所述第一类型的读取晶体管，所述读取晶体管包括：第一栅极端子，通过所述第一节点连接至所述写入晶体管；和铁电层，具有与所述存储单元中存储数据值相对应的极化状态；其中，所述写入晶体管被配置为通过调节所述铁电层的所述极化状态的所述写字线信号来设置所述存储单元中的所述存储数据值。

根据本发明的又一个方面，提供了一种操作存储单元的方法，所述方法包括：执行所述存储单元的写操作，执行所述存储单元的写操作包括：在写位线上设置写位线信号，所述写位线信号对应于所述存储单元中的存储数据值；响应于写字线信号而导通写入晶体管，从而将所述写位线电连接至读取晶体管的栅极；通过调节所述读取晶体管的极化状态从而导通或截止读取晶体管，来设置存储单元的存储数据值，所述极化状态对应于所述存储单元的所述存储数据值；和响应于所述写字线信号而使所述写入晶体管截止，从而使所述写位线与所述读取晶体管的栅极彼此电断开。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的存储单元阵列的框图。

图2A是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图2B是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图2C是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图3A是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图3B是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图3C是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图4A是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图4B是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图4C是根据一些实施例的存储单元的电路图。

图5是根据一些实施例的集成电路的截面图。

图6是根据一些实施例的制造集成电路的方法的功能流程图。

图7是根据一些实施例的操作电路的方法的流程图。

具体实施方式