[发明专利]声表面波装置的制作方法

权利要求书

1.一种声表面波装置的制作方法，包括：

提供压电基体，

在所述压电基体上形成IDT电极，所述IDT电极包括设置在所述压电基体上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层的成份包括钛，所述第二金属层的成分包括铝，

对所述IDT电极进行热处理包括以下步骤：

第一热处理，在600-650℃下处理15-30分钟，在所述第一金属层和第二金属层之间形成钛铝金属间化合物；

第二热处理，在200-300℃下处理1-5小时。

2.根据权利要求1所述的声表面波装置的制作方法，其中，在所述压电基体上形成IDT电极包括在所述压电基体上形成2-10nm厚的第一金属层，在所述第一金属层上形成所述第二金属层，所述第二金属层包括97wt％以上的铝，1-2wt％的铜，0.5-1wt％的硅，蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层得到所述IDT电极层。

3.根据权利要求2所述的声表面波装置的制作方法，还包括，在所述第二金属层上形成第三金属层，在所述第三金属层上形成第四金属层，所述第三金属层的成份包括钛，所述第三金属层的厚度为2-10nm，所述第四金属层包括97wt％以上的铝，1-2wt％的铜，0.5-1wt％的硅，蚀刻所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层得到所述IDT电极层，第四金属层的厚度为第二金属层的厚度的10倍以上。

4.如权利要求3中所述的声表面波装置的制作方法，其中，

所述第二金属层在所述压电基体上的正投影面积小于所述第一金属层在所述压电基体上的正投影面积，所述第三金属层在所述压电基体上的正投影面积小于所述第二金属层在所述压电基体上的正投影面积，所述第四金属层在所述压电基体上的正投影面积小于所述第三金属层在所述压电基体上的正投影面积，

所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层远离所述压电基体的表面的面积小于靠近所述压电基体的表面的面积。

5.根据权利要求1-4中任一所述的声表面波装置的制作方法，其中，在所述第一热处理之后，以每分钟5-10℃的速度将所述IDT电极从第一热处理温度冷却到第二热处理温度，进行所述第二热处理。

6.根据权利要求1-4中任一所述声表面波装置的制作方法，其中，所述第一金属层中金属钛的含量在98wt％以上，所述第一金属层还包括选自Al、Si、Mg中的一种或一种以上的金属。

7.根据权利要求1-4中任一所述的声表面波装置的制作方法，其中，采用原子层沉积技术或电子束蒸镀技术形成所述第一金属层，所述第一金属层为单晶金属层。

8.根据权利要求2-4中任一所述的声表面波装置的制作方法，其中，形成所述第二金属层包括采用铝硅铜合金靶，利用溅射方法形成所述第二金属层，所述第二金属层具有(111)取向。

9.根据权利要求1-4中任一所述的声表面波装置的制作方法，其中在所述压电基体上形成IDT电极还包括在所述压电基体上形成凹槽，在所述凹槽中形成所述IDT电极，所述凹槽的深度小于或等于所述IDT电极的厚度。

10.根据权利要求1-4中任一所述的声表面波装置的制作方法，还包括形成所述IDT电极之前，在所述压电基体上形成第一介质层，在所述介质层中形成凹槽，暴露出所述压电基体，在所述第一介质层的凹槽中形成所述IDT电极，所述第一介质层凹槽的深度等于所述IDT电极的厚度。

11.根据权利要求10所述的声表面波装置的制作方法，还包括在所述IDT电极上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述IDT电极和所述第一介质层。

12.一种声表面波装置，根据权利要求1-11中任一所述的声表面波装置的制作方法。