[发明专利]降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池

说明书

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池。降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法包括：对硅片进行磷吸杂，以吸收硅片内部的金属杂质；利用酸溶液对磷扩散后的硅片进行清洗；对酸洗后的硅片进行制绒；对制绒后的硅片进行制绒后处理，以制成单晶PERC电池。如此，在制绒前对硅片进行磷吸杂和酸洗，可以吸收硅片内部的金属杂质，防止金属杂质进入硅片内部发生复合反应造成效率衰减，有利于提高单晶PERC电池的转换效率。

技术领域

本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池。

背景技术

相关技术中，太阳能电池所用的硅材料的纯度极高，但是在单晶硅中仍存在很多金属杂质和缺陷。这些杂质在带隙中形成复合中心，导致少数载流子的寿命降低，从而导致太阳能电池的光电转换效率较低。基于此，如何降低太阳能电池中的金属杂质，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池，旨在解决如何降低太阳能电池中的金属杂质的问题。

第一方面，本申请提供的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，包括：

对硅片进行磷吸杂，以吸收所述硅片内部的金属杂质；

利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗；

对酸洗后的所述硅片进行制绒；

对制绒后的所述硅片进行制绒后处理，以制成单晶PERC电池。

可选地，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，扩散温度的范围为850℃-950℃。

可选地，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，扩散时间的范围为60min-180min。

可选地，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，掺杂方阻的范围为40Ω/□-60Ω/□。

可选地，所述利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗的步骤，包括：

利用HF溶液和/或HCL溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗。

可选地，在所述利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗的步骤中，所述硅片的反射率的范围为36.5％-41.5％。

可选地，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤前，所述制作方法包括：

对所述硅片进行粗抛清洗。

可选地，所述对所述硅片进行粗抛清洗的步骤，包括：

利用碱溶液对所述硅片进行粗抛清洗。

可选地，在所述对酸洗后的所述硅片进行制绒的步骤中，所述硅片的绒面呈金字塔状，所述绒面的高度的范围为0.9μm-1.1μm。

第二方面，本申请提供的单晶PERC电池采用上述任一项的方法制作得到。

本申请实施例的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池中，在制绒前对硅片进行磷吸杂和酸洗，可以吸收硅片内部的金属杂质，防止金属杂质进入硅片内部发生复合反应造成效率衰减，有利于提高单晶PERC电池的转换效率。

附图说明

图1是本申请实施例的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法的流程示意图；

图2是本申请实施例的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法的流程示意图；

图3是本申请实施例的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法的流程示意图；