[发明专利]降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法和电池在审
| 申请号： | 202110582964.1 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113380923A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丹丹;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 金属 杂质 perc 电池 制作方法 | ||
1.一种降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，包括：
对硅片进行磷吸杂，以吸收所述硅片内部的金属杂质；
利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗；
对酸洗后的所述硅片进行制绒；
对制绒后的所述硅片进行制绒后处理，以制成单晶PERC电池。
2.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，扩散温度的范围为850℃-950℃。
3.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，扩散时间的范围为60min-180min。
4.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤中，掺杂方阻的范围为40Ω/□-60Ω/□。
5.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，所述利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗的步骤，包括：
利用HF溶液和/或HCL溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗。
6.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述利用酸溶液对磷扩散后的所述硅片进行清洗的步骤中，所述硅片的反射率的范围为36.5％-41.5％。
7.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述对硅片进行磷吸杂以吸收所述硅片内部的金属杂质的步骤前，所述制作方法包括：
对所述硅片进行粗抛清洗。
8.根据权利要求7所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，所述对所述硅片进行粗抛清洗的步骤，包括：
利用碱溶液对所述硅片进行粗抛清洗。
9.根据权利要求1所述的降低金属杂质的单晶PERC电池的制作方法，其特征在于，在所述对酸洗后的所述硅片进行制绒的步骤中，所述硅片的绒面呈金字塔状，所述绒面的高度的范围为0.9μm-1.1μm。
10.一种单晶PERC电池，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的方法制作得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
