[发明专利]用于半导体制冷器的测试设备和测试方法

权利要求书

1.一种用于半导体制冷器的测试设备，包括：

导热载体（10），其包括第一表面（12）和与第一表面（12）相反的第二表面（14），其中所述第一表面（12）适于与所述半导体制冷器的操作表面接触；

热负载（20），其设置在所述第二表面（14）并且被配置成从功率源接收电力而发热，所述热负载（20）包括具有预定面积的电阻膜；

功率源，其配置成能够操作所述热负载（20），以使得所述热负载（20）模拟所述半导体制冷器所制冷的器件；以及

热敏电阻（30），其与所述热负载（20）相邻地设置在所述第二表面（14）上。

2.根据权利要求1所述的测试设备，其中所述电阻膜经由镀膜连续地形成在所述第二表面（14）的预定区域。

3.根据权利要求1所述的测试设备，其中所述电阻膜包括多个层的堆叠，所述多个层包括顺次堆叠的TaN层和Au层。

4.根据权利要求3所述的测试设备，其中所述电阻膜包括顺次层叠在所述TaN层和Au层之间的TiW层和Ni层。

5.根据权利要求1所述的测试设备，其中所述导热载体（10）由ALN制成。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的测试设备，其中所述热负载（20）的热功率P通过所述电阻膜的面积确定并且通过以下公式确定：

P=a·b·S，

其中a为材料常数并且由电阻膜的材料确定，b为功率常数并且由电阻膜的发热功率决定，S为电阻膜的面积。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的测试设备，其中所述第二表面（14）还包括分别连接至所述电阻膜和所述热敏电阻（30）的印刷键合线。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的测试设备，还包括温度可调节的环境温度调节箱，其中在测试设备执行测试期间中，所述导热载体（10）、所述热负载（20）和所述热敏电阻（30）被容纳在所述环境温度调节箱中。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的测试设备，其中所述导热载体（10）由ALN制成，并且所述导热载体（10）的厚度为0.254mm。

10.一种用于半导体制冷器的测试方法，所述测试方法至少部分地利用根据权利要求1-9中任一项所述的测试设备来执行，所述测试方法包括：

将所述导热载体（10）布置在所述半导体制冷器上；

向所述热负载（20）提供电功率，以使得所述热负载（20）产生与所述半导体制冷器所制冷的热源的发热功率对应的功率；以及

操作所述半导体制冷器，以使得所述热负载（20）工作在预定的温度范围，其中所述热负载（20）的温度范围经由热敏电阻来指示。

11.根据权利要求10所述的测试设备的测试方法，还包括：

将所述导热载体（10）、所述热负载（20）和所述热敏电阻放置在环境温度调节箱中；

向所述热负载（20）提供电功率和操作所述半导体制冷器，以便获取所述半导体制冷器的制冷功率相关参数。