[发明专利]用于钒前体的直接液体注射的系统和方法

权利要求书

1.一种气相沉积系统，包括：

包含液体钒前体的前体源；

与前体源流体连通的控制阀，该控制阀配置成控制来自前体源的钒前体的液体流动；

与控制阀流体连通的注射器，该注射器配置成蒸发钒前体；以及

与注射器流体连通的反应室，所述注射器配置成将蒸发的钒前体输送到该反应室。

2.根据权利要求1所述的气相沉积系统，其中，所述钒前体包括卤化钒。

3.根据权利要求2所述的气相沉积系统，其中，所述卤化钒包括四氯化钒。

4.根据权利要求1所述的气相沉积系统，还包括与所述反应室连通的氮前体源。

5.根据权利要求4所述的气相沉积系统，其中，所述气相沉积系统配置为通过使衬底与来自所述注射器的钒前体接触并且使衬底与来自所述氮前体源的氮接触而在衬底上形成氮化钒层。

6.根据权利要求1所述的气相沉积系统，其中，所述注射器包括被定位成将雾化的钒前体喷射到热板上的雾化器。

7.根据权利要求1所述的气相沉积系统，其中，所述注射器包括加热导管上游的雾化器。

8.一种气相沉积系统，包括：

包含液体卤化钒前体的前体源；

与前体源流体连通的雾化器；

与雾化器流体连通的载气；

与雾化器流体连通的加热元件；以及

与加热元件流体连通的反应室，所述加热元件配置成将蒸发的前体输送到该反应室。

9.根据权利要求8所述的气相沉积系统，其中，所述卤化钒前体包括四氯化钒。

10.根据权利要求8所述的气相沉积系统，还包括与所述反应室连通的氮前体源。

11.根据权利要求10所述的气相沉积系统，其中，所述气相沉积系统配置成通过用所述载气雾化所述液体卤化钒前体、蒸发雾化的卤化钒前体和载气、使所述衬底与蒸发的卤化钒前体接触以及使衬底与来自所述氮前体源的氮接触而在衬底上形成氮化钒层。

12.根据权利要求8所述的气相沉积系统，其中，所述加热元件包括热板。

13.根据权利要求8所述的气相沉积系统，其中，所述加热元件包括加热导管。

14.根据权利要求8所述的气相沉积系统，还包括液体流量计，其配置为测量液体卤化钒前体从前体源到雾化器的流量。

15.一种在衬底上形成氮化钒层的方法，包括：

将衬底放置在反应室内；

计量注射器上游的液体卤化钒前体；

蒸发液体卤化钒前体；以及

将蒸发的卤化钒前体引入反应室，以在衬底上形成包含钒的层。

16.根据权利要求15所述的在衬底上形成氮化钒层的方法，其中，蒸发所述液体卤化钒前体包括用载气雾化液体卤化钒前体以形成喷雾，并加热该喷雾以蒸发卤化钒前体。

17.根据权利要求16所述的在衬底上形成氮化钒层的方法，其中，加热所述喷雾包括使喷雾与热板接触。

18.根据权利要求16所述的在衬底上形成氮化钒层的方法，其中，加热所述喷雾包括在加热导管内加热喷雾。

19.根据权利要求15所述的在衬底上形成氮化钒层的方法，其中，所述卤化钒前体包括四氯化钒。