[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110571731.1 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113725265A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 朴哲彦;朴应晳;金容铎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
第一基体,在所述第一基体上限定有显示区域和非显示区域;
第一支撑构件,所述第一支撑构件设置在所述第一基体上,并且定位在所述非显示区域中;
发光元件,所述发光元件设置在所述第一基体上,并且定位在所述显示区域中;
封装层,所述封装层设置在所述发光元件上;
第二基体,所述第二基体设置在所述封装层上;
滤色器,所述滤色器设置在所述第二基体和所述封装层之间,其中,所述滤色器与所述发光元件重叠;
波长转换图案,所述波长转换图案设置在所述滤色器上;以及
密封构件,所述密封构件设置在所述第一基体和所述第二基体之间,并且定位在所述非显示区域中,
其中,所述密封构件定位在所述显示区域和所述第一支撑构件之间,并且与所述封装层重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述封装层包括设置在所述发光元件上的下部无机层、设置在所述下部无机层上的有机层和设置在所述有机层上的上部无机层,并且
所述密封构件在所述非显示区域中设置在所述上部无机层上,并且与所述下部无机层和所述上部无机层重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述密封构件直接接触所述上部无机层。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
坝构件,所述坝构件设置在所述第一基体上,并且定位在所述密封构件和所述显示区域之间,
其中,所述坝构件围绕所述显示区域,并且
所述下部无机层和所述上部无机层覆盖所述坝构件。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述第一支撑构件包括设置在所述第一基体上的第一下部支撑图案和设置在所述第一下部支撑图案上的第一上部支撑图案,并且
所述坝构件包括设置在所述第一基体上的下部坝图案和设置在所述下部坝图案上的上部坝图案,
其中,所述下部支撑图案和所述下部坝图案包括彼此相同的材料,并且
所述上部支撑图案和所述上部坝图案包括彼此相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一基体上,并且定位在所述发光元件和所述第一基体之间;以及
像素限定层,所述像素限定层设置在所述绝缘层上,并且部分地暴露所述发光元件的阳极,
其中,所述下部支撑图案和所述下部坝图案与所述绝缘层包括相同的材料,并且
所述上部支撑图案和所述上部坝图案与所述像素限定层包括相同的材料。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述下部无机层的端部和所述上部无机层的端部定位在所述密封构件和所述第一支撑构件之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一支撑构件包括与所述第一基体的边缘间隔开的第一部分和与所述第一基体的边缘对准的第二部分。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一支撑构件的所述第一部分的宽度大于所述第一支撑构件的所述第二部分的宽度。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述第一支撑构件的所述第二部分包括与所述第一基体的所述边缘对准的第一侧表面和面对所述第一侧表面的第二侧表面,并且
所述第一侧表面的倾斜角不同于所述第二侧表面的倾斜角。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
连接焊盘,所述连接焊盘设置在所述第一基体上,并且定位在所述非显示区域中,
其中,所述第一支撑构件的所述第一部分定位在所述连接焊盘和所述密封构件之间,并且
所述第一支撑构件的所述第二部分从所述第一支撑构件的所述第一部分延伸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110571731.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的