[发明专利]显示面板及制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110565110.2 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113299717A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 黄应龙;陈建宇;王仓鸿;周子琳;谢明哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供了一种显示面板及制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,用以解决显示面板中电流沿功能材料层横向传输导致的发光串扰和偏色问题。显示面板包括衬底基板、第一电极层、像素界定层、第一功能材料层、发光层。其中,第一电极层设置于衬底基板上,包括多个第一电极;像素界定层设置于第一电极层远离衬底基板的一侧,像素界定层上具有多个开口,每个开口露出第一电极的至少一部分,开口的侧壁上设置有凹陷部;第一功能材料层设置于像素界定层远离衬底基板的一侧,且第一功能材料层位于开口中的部分在凹陷部处不连续;发光层设置于第一功能材料层远离衬底基板的一侧。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及制备方法、显示装置。
背景技术
显示面板(也可称为显示屏)可以有很多类型,例如,有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,简称OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes,简称QLED)显示面板等。
例如,OLED显示面板的发光器件是一种多层薄膜层叠设置的结构,由于发光器件中的功能材料层,例如空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层等中的一层或多层,是通过真空蒸镀技术制作出来的一整层,通电时,电流会沿着这些层横向传输,使得一个子像素的发光驱动电流传输到与其相邻的子像素上,因此就会产生发光串扰和偏色问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及制备方法、显示装置,用以解决显示面板中电流沿功能材料层横向传输导致的发光串扰和偏色问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供了一种显示面板,包括衬底基板、第一电极层、像素界定层、第一功能材料层、以及发光层。其中,第一电极层设置于衬底基板上,第一电极层包括多个第一电极。像素界定层设置于一电极层远离衬底基板的一侧,像素界定层上具有多个开口,每个开口露出第一电极的至少一部分,述开口的侧壁上设置有凹陷部,第一功能材料层设置于像素界定层远离衬底基板的一侧,且第一功能材料层位于开口中的部分在凹陷部处不连续。发光层设置于第一功能材料层远离衬底基板的一侧。
在一些实施例中,凹陷部设置于开口的侧壁的底部。
在一些实施例中,凹陷部沿开口的侧壁边沿延伸。凹陷部的内壁的横截面中两端点的连线与像素界定层的底面之间的夹角大于90°,且小于或等于160°。其中,横截面垂直于凹陷部的延伸方向。
在一些实施例中,凹陷部的内壁为平面或凹弧面。
在一些实施例中,凹陷部的高度大于或等于0.2μm,且小于或等于1μm。
在一些实施例中,一个开口对应间隔分布的多个凹陷部,或者,一个开口对应一个凹陷部,该凹陷部为环形,并且,该凹陷部围绕第一功能材料层中的孤岛部,孤岛部与开口中露出的第一电极接触。
在一些实施例中,间隔分布的多个凹陷部至少设置在开口的侧壁的相对两侧上。
在一些实施例中,发光层包括多个发光图案,每个发光图案的至少一部分位于一个开口中。多个开口中至少两个开口排成一排。在这一排中,位于每相邻两个开口处的发光图案的发光颜色不同。并且,一个开口对应间隔分布的多个凹陷部,多个凹陷部至少设置在开口的侧壁的相对两侧上,开口的侧壁的相对两侧为开口的侧壁中沿一排的延伸方向的两侧。
在一些实施例中,显示面板还包括第二功能材料层。第二功能材料层设置于发光层远离衬底基板的一侧,且第二功能材料层位于开口中的部分在凹陷部处不连续。
在一些实施例中,显示面板还包括第二电极层。第二电极层设置于第二功能材料层远离衬底基板的一侧,第二电极层为一体膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的