[发明专利]一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法在审
| 申请号： | 202110559933.4 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113327882A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张姝;肖姝;姚耀;丁嘉炜 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/603;B08B5/04 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 封装 用吸嘴 系统 方法 | ||
1.一种半导体器件封装用吸嘴，其特征在于，所述吸嘴包括吸取部以及与所述吸取部相连的连接部；
所述连接部设置有气路通孔；
所述吸取部设置有第一吸取通孔以及环绕所述第一吸取通孔设置的多个第二吸取通孔，所述多个第二吸取通孔和所述第一吸取通孔均与所述气路通孔连通，并且所述第二吸取通孔的尺寸小于所述第一吸取通孔的尺寸。
2.根据权利要求1所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔背离所述连接部的一侧横截面尺寸大于其朝向所述连接部的一侧横截面尺寸。
3.根据权利要求2所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔的横截面尺寸，自所述第二吸取通孔背离所述连接部的一侧向朝向所述连接部的一侧依次减小。
4.根据权利要求3所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔的纵截面呈梯形。
5.根据权利要求1至4任一项所述的吸嘴，其特征在于，所述吸取部背离所述连接部的表面为内凹面。
6.根据权利要求5所述的吸嘴，其特征在于，所述内凹面的纵截面呈弧形。
7.根据权利要求5所述的吸嘴，其特征在于，所述内凹面的纵截面呈倒V形。
8.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封装方法采用权利要求1至7任一项所述的吸嘴，所述封装方法包括：
利用所述吸嘴从片源中吸取出背面预先覆盖合金层的待封装芯片，并通过所述吸嘴中的所述第一吸取通孔和所述多个第二吸取通孔将所述芯片表面的异物颗粒吸走；
将所述芯片背面放置在载片台上，并利用施压装置通过所述吸嘴作用于所述芯片，以使得所述合金层与所述载片台表面结合形成合金粘结层；以及，
在施压过程中，继续利用所述第一吸取通孔和所述多个第二吸取通孔将所述芯片表面的残留异物颗粒吸走。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述吸取部背离所述连接部的表面为内凹面；
所述利用施压装置通过所述吸嘴作用于所述芯片，包括：
通过所述施压装置持续向所述吸嘴施压，使得所述内凹面从四周逐步扩张至完全与所述芯片表面接触；
所述在施压过程中，继续利用所述第一吸取通孔和所述多个第二吸取通孔将所述芯片表面的残留异物颗粒吸走，包括：
在所述内凹面完全与所述芯片表面接触之前，利用所述第一吸取通孔和所述多个第二吸取通孔将所述芯片表面的残留异物颗粒吸走。
10.一种半导体器件封装系统，其特征在于，所述封装系统包括权利要求1至7任一项所述的吸嘴，所述封装系统还包括气管，所述气管与所述吸嘴的气路通孔相连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
