[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110559298.X | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113394165A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 201400 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，于晶圆层的上表面设置介质层，所述介质层包含多个垂直方向上的第一接触孔，每个所述第一接触孔的底部设置有一电极压焊点；
步骤S2，于所述介质层的上表面设置树脂层，所述树脂层填充每个所述第一接触孔；
步骤S3，于所述树脂层设置多个垂直方向上的第二接触孔，每个所述第二接触孔分别对应一个所述电极压焊点，所述第二接触孔贯穿所述树脂层直至对应的所述电极压焊点；
步骤S4，于所述树脂层的上表面设置厚铜层，所述厚铜层填充每个所述第二接触孔；
步骤S5，对表面的所述厚铜层进行去除直至所述树脂层暴露以得到所述半导体器件。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极压焊点的面积大于所述第一接触孔的面积。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二接触孔的面积小于所述第一接触孔的面积。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S2中，所述树脂层采用涂覆方式或贴覆方式设置于所述介质层的上表面。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S2中，所述树脂层采用热塑封方式设置于所述介质层的上表面。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S5中，表面的所述厚铜层采用激光烧灼的方式进行图形化处理。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S5中，表面的所述厚铜层采用化学机械抛光制程的方式进行去除。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，于所述步骤S5中，表面的所述厚铜层采用机械研磨的方式进行去除。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述树脂层的厚度的取值范围为[1um，100um]。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述厚铜层的厚度的取值范围为[1um，100um]。
11.一种半导体器件，其特征在于，应用如权利要求1至10中任意一项所述的制备方法制备获得，包括：
晶圆层；
多个电极压焊点，设置于所述晶圆层的上表面；
介质层，设置于所述晶圆层的上表面，所述介质层包含多个垂直方向上贯穿的第一接触孔，每个所述第一接触孔对应一个所述电极压焊点；
树脂层，设置于所述介质层的上表面，所述树脂层包含多个垂直方向上贯穿的第二接触孔，每个所述第二接触孔对应一个所述电极压焊点；和
厚铜层，填充于所述第二接触孔中并与所述第二接触孔对应的所述电极压焊点接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海朕芯微电子科技有限公司，未经上海朕芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110559298.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
