[发明专利]一种微显示阵列在审
申请号: | 202110558335.5 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN115377137A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 岳大川;朱涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥视微科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华富街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 阵列 | ||
一种微显示阵列,包括:若干个阵列排布的底发光像素单元,所述的像素单元具有位于底部的透明衬底、设置在所述的透明衬底上表面的LED发光单元、覆盖所述的LED发光单元和透明衬底的第一绝缘层、与所述的LED发光单元形成电学互联的第一电极、与所述的透明衬底形成电学互联的第二电极,所述的第一绝缘层上开设有窗口,所述的第二电极通过所述的窗口与所述的透明衬底形成电学互联,所述的第一绝缘层选用深色吸光材料制作而成,并被配置成使其吸收入射到所述的微显示阵列内的环境光。
技术领域
本发明属于半导体微显示技术领域,特别涉及一种底出光型微显示阵列。
背景技术
随着显示技术的不断发展,越来越多的便携式电子设备(如智能电话、平板计算机、智能手表、AR/VR眼镜等)都对显示装置的各项性能提出更高的要求。其中,对于无背景光照射的OLED和Micro-LED来说,显示面板的发光效率就是关系到显示性能的一项重要指标。其中,Micro-Led在室内及室外的应用场景下,其表面的反光造成显示对比度低下及关闭状态下画面不黑的问题尤为明显。参见图1,显示器表面反光导致对比度低以及关机非全黑问题的原因是:由于阴极金属为大面积金属,器件为底发光器件,环境光从衬底侧进入显示像素单元,通过阴极金属的反射,混杂在像素单元的正常出光中,再反射回环境中。反射光与Micro-LED的出射光相互干扰,降低Micro-LED的显示效果。所以优化Micro-LED屏体表面反光是申请人急需解决的问题。
发明内容
本申请的目的在于解决现有技术中的环境光与微显示阵列的出射光相互干扰的问题。
为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:一种微显示阵列,包括若干个阵列排布的像素单元,所述的像素单元具有位于底部的透明衬底、设置在所述的透明衬底上表面的LED发光单元、覆盖所述的LED发光单元和透明衬底的第一绝缘层、与所述的LED发光单元形成电学互联的第一电极、与所述的透明衬底形成电学互联的第二电极,所述的第一绝缘层上开设有窗口,所述的第二电极通过所述的窗口与所述的透明衬底形成电学互联,所述的第一绝缘层选用深色吸光材料制作而成,并被配置成使其吸收自出光面入射到所述的微显示阵列内的环境光。
本申请中,从透明衬底一侧进入像素单元的环境光能够被第一绝缘层吸收,从而不会反射并与LED发光单元的出射光混杂,因此本申请能够消除环境光串扰,不会影响微显示阵列的显示效果。
在本申请的一个实施例中,微显示阵列还包括覆盖在所述的第一绝缘层和第二电极上的第二绝缘层。
在本申请的一个实施例中,所述的第二电极采用透明或半透明材料制成。
在本申请的一个实施例中,所述的第二电极选用TO、ITO、IZO或ITZO材料中的一种。
在本申请的一个实施例中,所述的微显示阵列为Micro-LED。
在本申请的一个实施例中,所述的第一绝缘层选用黑色有机胶材料制作而成。
在本申请的一个实施例中,所述的第一电极由单层或多层复合金属膜层材料制成。
附图说明
附图1为改进前的微显示阵列的光路示意图;
附图2为本申请的一个实施例中微显示阵列的平面示意图;
附图3为本申请的一个实施例中微显示阵列的光路示意图;
其中:10、透明衬底;20、LED发光单元;30、第一透明绝缘层;40、第二电极;50、第二绝缘层; 60、第一电极;11、出光面。
具体实施方式
为详细说明发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明,其中本说明书中所述的“上”、“下”位置关系分别与附图3中的上、下方对应,附图1、3中的下方为显示屏的出光方向,微显示阵列的下表面为出光面11,相应的微显示阵列的上侧、左侧、右侧表面为本说明书中所述的“非出光面”。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的