[发明专利]微显示发光芯片及微显示装置在审
申请号: | 202110558334.0 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN115377136A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 岳大川;朱涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥视微科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华富街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 发光 芯片 显示装置 | ||
本申请提供一种微显示发光芯片,包括:若干个陈列排布的底出光像素单元,所述的像素单元具有位于底部的出光面和位于顶部的键合面,各所述的像素单元分别包括:透明衬底、LED发光单元、第二电极、第一电极,其中,所述的第一电极具有自所述的LED发光单元的中心向外延伸的伞盖,所述的伞盖对所述的LED发光单元的非出光侧形成遮盖,且所述的伞盖的内表面形成能够将光线向出光侧汇聚的反光面。本申请并不额外曾加微显示发光芯片的功能结构层,而是利用特殊的伞盖结构形成反光面,因此特别适用于1英寸以内的微型显示器件使用。反光面能够将LED发光层射向非出光面的大部分光线汇聚反射,最终从出光侧出射,能够有效减少光损失。
技术领域
本发明属于半导体微显示技术领域,特别涉及一种底出光型微显示发光芯片及微显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,越来越多的便携式电子设备(如智能电话、平板计算机、智能手表、AR/VR眼镜等)都对显示装置的各项性能提出更高的要求。其中,对于无背景光照射的OLED和Micro-LED来说,显示面板的发光效率就是关系到显示性能的一项重要指标。在本申请对显示芯片的发光效率改进以前,一个显示像素单元的典型结构如图1、图2所示,由于发光单元的发光方向为360°,对于底发光/顶发光器件来说,会产生将近50%左右的光损失。
发明内容
本申请的目的在于解决现有技术中的微显示发光芯片发光效率低的问题。
为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:
第一方面,本申请提供一种微显示发光芯片,包括:若干个陈列排布的底发光的像素单元,所述的像素单元具有位于底部的出光面和位于顶部的键合面,各所述的像素单元分别包括:透明衬底、LED发光单元、第二电极、第一电极,其中,所述的第一电极具有自所述的LED发光单元的中心向外延伸的伞盖,所述的伞盖对所述的LED发光单元的非出光侧形成遮盖,且所述的伞盖的内表面形成能够将光线向出光侧汇聚的反光面。
上述方案的优点是:并不额外曾加微显示发光芯片的功能结构层,而是利用特殊的伞盖结构形成反光面,因此特别适用于1英寸以内的微型显示器件使用。反光面能够将LED发光单元射向非出光面的大部分光线汇聚反射,最终从出光侧出射,能够有效减少光损失。
在一种可能的实现方式中,所述的LED发光单元外侧形成有第一透明绝缘层,所述的第一透明绝缘层外还设置有具有弧形外表面的第二透明绝缘层,所述的伞盖形成在所述的第二透明绝缘层外表面上。
在一种可能的实现方式中,所述的第二透明绝缘层为有机胶或无机材料制成的透明或半透明材料。
在一种可能的实现方式中,所述的第二透明绝缘层通过半色调光刻工艺、压印工艺或打印工艺形成。
在一种可能的实现方式中,所述的透明衬底形成一出光窗口,所述的伞盖在所述出光面上的投影大于等于所述的出光窗口的面积。
在一种可能的实现方式中,所述的第一电极采用溅射工艺形成,所述的第一电极采用溅射工艺形成,所述的第一电极由单层或多层复合金属膜层中材料制成
在一种可能的实现方式中,所述的伞盖的反光面的中部向上供起;所述的反光面为屋脊面、椭圆曲面、球面、倒U形面或波浪面。
在一种可能的实现方式中,所述的第一电极包括设置在所述的伞盖的外表面且远离所述的LED发光单元的第一连接部,所述的第一连接部具有位于所述键合面上的第一顶面和位于伞盖上的第一底面,所述的第一顶面的面积大于第一底面的面积。
在一种可能的实现方式中,所述的第一电极包括设置在所述的伞盖的内表面且靠近所述的LED发光单元的第二连接部,所述的第二连接部具有连接在伞盖内表面的第二顶面和连接在LED发光单元上的第二底面,所述的第二顶面的面积大于第二底面的面积,且所述的第二底面的面积大于所述的第一底面的面积。
第二方面,本申请提供一种微显示装置,包括所述的微显示发光芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的