[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法

说明书

本发明公开的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。本发明不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

通常，IGBT器件的结构或者制作流程如下：1)完成IGBT正面制程；2)背面减薄；3)背面离子注入；4)背面激光退火；5)背面金属化。

由于实际IGBT的芯片特别薄，在完成IGBT正面制程之后背面加工常采用两种方法：

方法一，参见图1，用Taiko研磨方式。背面减薄时只减薄晶圆的中心部分，晶圆边缘有宽度2-4mm不研磨，也就是说边缘2-4mm要比晶圆中心部分厚很多；以此厚的边缘来支撑整个晶圆，使晶圆在研磨之后不翘曲，确保后续背面离子注入、背面激光退火以及背面金属化等制程能顺利完成。

Taiko制程存在如下缺点：Taiko制程只是用宽度2-4mm的厚边缘来支撑晶圆不翘曲，但晶圆本身还是薄片，在后续加工还是容易破裂；Taiko减薄设备以及后续切割厚边缘的设备很贵。

方法二，参见图2，临时键合技术。将完成正面IGBT制程的晶圆粘在另一晶圆上，再制作IGBT背面制程(背面离子注入、背面激光退火以及背面金属化等制程)，背面制程完成之后，再将薄的IGBT晶圆剥离下来。

临时键合制程的缺点是：背面加工好之后将薄的IGBT晶圆从支撑晶圆上剥离下来很困难，易破片；键合设备、剥离设备以及粘接用的胶水或者胶带很贵。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述IGBT器件制作流程过程中所采用的Taiko制程和临时键合制程所存在的上述不足而提供一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。

为了实现上述目的，本发明所提供的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。

在本发明的一个优选实施例中，所述凸块是铜柱(Cu Pillar)、金柱(GoldPillar)或者锡球(Solder Ball)。

在本发明的一个优选实施例中，所述铜柱(Cu Pillar)或者金柱(Gold Pillar)的高度范围为10-100um。

在本发明的一个优选实施例中，所述锡球(Solder Ball)的直径范围为50-400um。

在本发明的一个优选实施例中，所述塑封层的树脂的厚度为10-500um；所述塑封层的树脂在研磨之后的厚度为10-400um。

在本发明的一个优选实施例中，所述背面制程包括常规的晶圆减薄、离子注入、激光退火、背面金属化。