[发明专利]肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用

说明书

本发明提供了一种肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用。肟磺酸酯化合物包括通式(A)所示的化合物。通式(A)所示化合物属于非离子型光产酸剂，具有吸光性基团和产酸性基团，磺酸酯基与肟结构直接相连，在活性能量射线照射下能够发生N‑O键断裂而产生酸性较强的磺酸。结构对波长300‑450nm尤其是365nm(I线)、385nm和405nm(H线)的活性能量射线具有高灵敏度和较强吸收，在较低曝光量下即可较快地产酸。与此同时，由于其自身结构的特殊性它还具有良好的溶解性、热稳定性和储存稳定性。

技术领域

本发明涉及感光材料领域，具体而言，涉及一种肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用。

背景技术

光刻胶主要应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是液晶显示屏(LCD)与半导体产业链(晶片加工前制程的光致抗蚀工序和后制程的封装工序)等的上游关键材料。在光刻工序中，光刻胶的典型示例之一是含有树脂和光酸的树脂组合物，其中的树脂例如可以是羧酸的叔丁基酯或苯酚的叔丁基醚、甲硅烷基醚等。当照射紫外线等活性能量射线时，光酸分解产生强酸(曝光后可进一步进行加热)，在强酸作用下，羧酸衍生物或苯酚衍生物脱保护生成羧酸或苯酚。经过上述化学变化，曝光部分的树脂在碱性显影液中变得易溶，将其与碱性显影液作用能够促使图案的形成。

作为波长365nm的I线光刻用抗蚀剂，通常使用重氮萘醌(DNQ)抗蚀剂。但是化学增幅型抗蚀剂能够具有DNQ抗蚀剂不能达到的高灵敏度，并且有利于制作厚膜抗蚀剂，因此使用化学增幅型的I线光刻受到关注。目前，用于I线的化学增幅型抗蚀剂中所用的光酸有多种类型，如萘基硫酰亚胺衍生物、杂蒽酮衍生物、香豆素衍生物、酰基氧化磷衍生物、肟酯衍生物等，可大致归为非离子型和离子型两类。其中，离子型光酸往往与溶剂的相溶性不足，导致其在抗蚀剂中无法充分发挥作用；非离子型光酸与疏水性材料的相容性良好，但现有的非离子型光酸存在对I线的敏感度低(导致酸产生效率差)的问题，并且由于耐热性不足，在曝光后的加热(PEB)工序中易分解，还存在着裕度窄(DOF)的问题。

鉴于上述问题的存在，需要提供一种能够同时解决对波长365nm的I线的敏感度低、耐热性不足，且在曝光后的加热工序中易分解，裕度窄等问题的非离子光产酸剂。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用，以解决现有的非离子光产酸剂存在对波长365nm的I线的敏感度低、耐热性不足，且在曝光后的加热工序中易分解，还存在着裕度窄等问题。

为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种肟磺酸酯化合物，肟磺酸酯化合物包括通式(A)所示的化合物：