[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括层叠且通过层间绝缘层绝缘设置的有源结构和栅极，所述有源结构包括源区、漏区和沟道区，所述源区和所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述栅极为包括开口的图案结构层，所述开口在所述层间绝缘层的正投影位于所述沟道区在所述层间绝缘层的正投影内，以通过增大所述薄膜晶体管的宽长比，提高所述薄膜晶体管的驱动能力；

其中，所述开口的第一边的长度为1μm~2μm，第二边的长度≥1μm，所述源区的正投影和所述漏区的正投影在第一方向上位于所述沟道区的正投影两侧，所述第一边平行于所述第一方向，所述第二边垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括源极和漏极，所述层间绝缘层包括形成在所述层间绝缘层内的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述源极经由第一过孔与所述源区电连接，所述漏极经由第二过孔与所述漏区电连接，所述第二边的长度不小于所述第一过孔或所述第二过孔沿平行于所述第二边方向上的最大距离，其中第二方向与所述第二边平行。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔设置有多个，多个所述第一过孔与多个所述第二过孔分别在所述第一方向上对应设置，多个所述第一过孔沿第二方向排布，在第二方向上，任意两个所述第一过孔间或者任意两个所述第二过孔间的距离不大于所述第二边的长度。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿第一方向，所述开口在所述层间绝缘层上的正投影位于所述栅极在所述层间绝缘层的正投影中央，其中在所述层间绝缘层上，所述源区的正投影和所述漏区的正投影在所述第一方向上位于所述沟道区的正投影两侧。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述开口至少为两个，多个所述开口在所述层间绝缘层的正投影沿与第一方向垂直的方向上间隔设置，其中在所述层间绝缘层上，所述源区的正投影和所述漏区的正投影在所述第一方向上位于所述沟道区的正投影两侧。

6.一种阵列基板，其特征在于，具有第一区域和第二区域，所述第二区域在所述第一区域的周侧分布，所述阵列基板包括设置在所述第二区域的多路分配器组件，所述多路分配器组件包括：

薄膜晶体管，为如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管；

时钟控制信号线，所述栅极与所述时钟控制信号线电连接。

7.一种阵列基板，其特征在于，具有第一区域和第二区域，所述第二区域在所述第一区域的周侧分布，所述阵列基板包括：

设置在所述第一区域的数据线、扫描线以及第一电极，以及

薄膜晶体管，为如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接，所述栅极与所述扫描线电连接。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，为如权利要求7所述的阵列基板；以及

驱动芯片，所述驱动芯片设置于所述第二区域，并位于所述第一区域一侧；

所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极位于所述第二子电极远离所述驱动芯片一侧；

与所述第一子电极相连接的所述薄膜晶体管中的所述开口在所述层间绝缘层的正投影面积为S1，与所述第二子电极相连接的所述薄膜晶体管中的所述开口在所述层间绝缘层的正投影面积为S2，其中S1S2。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8和/或9所述的显示面板。