[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110546828.7 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN115377405A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 张丝雨;董文芊;高焕新;孙赛;张同宝 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;C01B33/18;C01B33/113;C01B33/02;C01B32/907;C01B32/21;C01B32/20;C01B32/05
代理公司: 北京至臻永信知识产权代理有限公司 11568 代理人: 张宝香;彭晓玲
地址: 100728 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 负极 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种硅碳负极材料,包括石墨,以及其表面的含硅的碳包覆层,其中,含硅的碳包覆层中,硅的质量含量为10%-80%,优选为30%-75%。

2.按照权利要求1所述的硅碳负极材料,其特征在于,含硅的碳包覆层中,硅源于含硅无机物质和聚硅氧烷,其中以Si计,含硅无机物质引入的硅与聚硅氧烷引入的硅的质量比为1:(0.25-1.5)。

3.按照权利要求1所述的硅碳负极材料,其特征在于,所述含硅的碳包覆层的厚度为0.2-5μm。

4.按照权利要求1所述的硅碳负极材料,其特征在于,所述硅碳负极材料的中值粒径为5-20μm。

5.按照权利要求1所述的硅碳负极材料,其特征在于,所述硅碳负极材料的比表面积为0.05-8m2/g。

6.按照权利要求1-5任一所述的硅碳负极材料,其特征在于,含硅的碳包覆层中,Si主要以Si-O-Si及Si-O-C结构存在。

7.一种硅碳负极材料的制备方法,包括:

(1)将含硅无机物质、石墨以及有机碳源混合;

(2)将步骤(1)所得混合物与聚硅氧烷混合,成型,干燥,得到硅碳负极前驱体;

(3)步骤(2)所得硅碳负极前驱体在惰性气氛下,经热处理,得到所述硅碳负极材料。

8.按照权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述含硅无机物质包括单质硅和硅氧化物中的至少一种;其中,所述单质硅为单晶硅、多晶硅或非晶硅中的一种或多种,粒径为30-200nm;所述硅氧化物为纳米氧化硅,粒径为2nm-100nm;

和/或,步骤(1)所述石墨的中值粒径为1-30μm;

和/或,步骤(1)所述有机碳源选自石油沥青、蔗糖、葡萄糖、柠檬酸、环氧树脂中的一种或多种。

9.按照权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中添加助溶剂,所述助溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、N’N-二甲基甲酰胺、正庚烷、丙酮、乙醇、四氢呋喃中的一种或多种;所述助溶剂的用量为原料总质量的0-30%,优选为5%-20%。

10.按照权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述聚硅氧烷具有-(R1R2Si-O)n-的结构单元,其中R1、R2优选为C1-C6的烷基、C2-C6的烯基、苯基、羟基、羧基、氨基、甲氧基或卤基;

优选地,所述聚硅氧烷的黏度为500-60000pa·s;

进一步优选地,聚硅氧烷选自聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷衍生物、聚苯基甲基硅氧烷、聚苯基甲基硅氧烷衍生物、聚甲基乙烯基硅氧烷、聚甲基乙烯基硅氧烷衍生物、聚甲基三氟丙基硅氧烷、聚甲基三氟丙基硅氧烷衍生物中任意一种或多种。

11.按照权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述成型采用混捏挤压成型法,其中混捏时间为5min-4h,挤压压力为0.5MPa-1.5MPa。

12.按照权利要求7或9所述的制备方法,其特征在于,以步骤(1)和步骤(2)所用原料的总质量为基准,所述含硅无机物质的用量占1.5%-30%,所述石墨的用量占45%-75%,所述有机碳源的用量占0.5%-20%,所述聚硅氧烷的用量占1%-20%。

13.按照权利要求7所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述干燥为真空干燥,干燥温度为80-120℃,干燥时间为6-12h,真空度为小于等于50Pa。

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